本發明提供一種真空系統及控制方法，包括腔室、第一真空泵、第一進氣管、控制器和用于檢測腔室的真空度的檢測裝置，控制器與檢測裝置和第一真空泵相連，第一進氣管與腔室相連。利用第一真空泵對腔室抽真空，當真空度檢測值大于第一閾值，且第一真空泵的開啟時長達到第一時長時，開啟第一進氣管，通過第一進氣管向腔室內吹入第一氣體，利用第一氣體轟擊附著在腔室內壁的水分子和氧分子，破壞水分子和氧分子與腔室內壁間的附著力，使水分子和氧分子從腔室內壁脫落，從而使水分子和氧分子容易被第一真空泵抽出，進而縮短腔室內真空度下降到預設真空度所需的時間，提高生產產能。

技術領域

本發明涉及真空技術領域，特別涉及一種真空系統及控制方法。

背景技術

在有機發光二極管顯示器件(Organic Light-Emitting Diode，OLED)和液晶顯示器件(Liquid Crystal Display,LCD)的制造過程中，等離子體氣相沉積、濺射沉積和干法刻蝕等工藝，均需要在真空的腔室內進行制造。現有的真空系統包括腔室和真空泵，利用真空泵抽出腔室內的氣體以使腔室達到一定的真空度。

在腔室維護后，腔室內會殘留水分子和氧分子，部分水分子和氧分子會附著在腔室內壁的防著板上，在腔室抽真空的過程中，附著在腔室內壁防著板上的水分子和氧分子，難以被真空泵抽出，從而大幅的增加了腔室達到預設真空度的時間，使生產產能下降。

發明內容

本發明針對現有技術中存在的上述不足，提供一種真空系統及控制方法，用以至少部分解決腔室達到預設真空度的時間較長的問題。

為實現上述目的，本發明提供一種真空系統，包括腔室、第一真空泵、控制器和用于檢測所述腔室的真空度的檢測裝置，所述控制器與所述檢測裝置和所述第一真空泵相連，所述真空系統還包括用于輸送第一氣體的第一進氣管，所述第一進氣管與所述腔室相連，

所述控制器用于，控制所述第一真空泵開啟，接收所述檢測裝置發送的真空度檢測值，并將所述真空度檢測值與預設的第一閾值相比較；當所述真空度檢測值大于所述第一閾值時，判斷所述第一真空泵的開啟時長是否達到預設的第一時長，當所述第一真空泵的開啟時長達到預設的第一時長時，控制所述第一真空泵待機，并控制所述第一進氣管開啟。

優選的，所述真空系統還包括用于輸送第二氣體的第二進氣管，所述第二進氣管與所述第一真空泵相連，所述控制器還用于，在控制第一真空泵待機之后，控制所述第二進氣管開啟。

優選的，所述真空系統還包括第二真空泵，所述第二真空泵與所述腔室和所述控制器相連；

所述控制器還用于，當所述真空度檢測值小于或等于所述第一閾值時，控制所述第一真空泵待機，并控制所述第二真空泵開啟；將所述真空度檢測值與預設的第三閾值相比較，當所述真空度檢測值小于或等于所述第三閾值時，控制所述第二真空泵待機。

優選的，所述真空系統還包括多個進氣支管，所述各進氣支管的一端與所述第一進氣管相連，所述各進氣支管的另一端分別與所述腔室的一個側壁相連，其中，所述腔室的各側壁連接一個所述進氣支管。

優選的，所述進氣支管與所述腔室側壁相連的一端設置有噴嘴，所述噴嘴位于所述腔室內。

優選的，所述第一氣體和所述第二氣體為氮氣。

本發明還提供一種控制方法，包括以下步驟：

開啟第一真空泵，以對腔室進行抽真空，并檢測所述腔室內的真空度；

將真空度檢測值與預設的第一閾值相比較，若真空度檢測值大于所述第一閾值，則判斷所述第一真空泵的開啟時長是否達到預設的第一時長，若是，則控制所述第一真空泵待機，并向所述腔室內通入第一氣體。

優選的，所述控制所述第一真空泵待機之后，所述方法還包括：向所述第一真空泵內通入第二氣體。