[發明專利]一種真空系統及控制方法有效
| 申請號： | 201710031387.0 | 申請日： | 2017-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN106783693B | 公開（公告）日： | 2020-06-02 |
| 發明（設計）人： | 付文悅;陳立強 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 劉悅晗;陳源 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 真空 系統 控制 方法 | ||
1.一種真空系統，包括腔室、第一真空泵、控制器和用于檢測所述腔室的真空度的檢測裝置，所述控制器與所述檢測裝置和所述第一真空泵相連，其特征在于，所述真空系統還包括用于輸送第一氣體的第一進氣管，所述第一進氣管與所述腔室相連，
所述控制器用于，控制所述第一真空泵開啟，接收所述檢測裝置發送的真空度檢測值，并將所述真空度檢測值與預設的第一閾值相比較；當所述真空度檢測值大于所述第一閾值時，判斷所述第一真空泵的開啟時長是否達到預設的第一時長，當所述第一真空泵的開啟時長達到預設的第一時長時，控制所述第一真空泵待機，并控制所述第一進氣管開啟。
2.根據權利要求1所述的真空系統，其特征在于，還包括用于輸送第二氣體的第二進氣管，所述第二進氣管與所述第一真空泵相連，所述控制器還用于，在控制第一真空泵待機之后，控制所述第二進氣管開啟。
3.根據權利要求1或2所述的真空系統，其特征在于，還包括第二真空泵，所述第二真空泵與所述腔室和所述控制器相連；
所述控制器還用于，當所述真空度檢測值小于或等于所述第一閾值時，控制所述第一真空泵待機，并控制所述第二真空泵開啟；將所述真空度檢測值與預設的第三閾值相比較，當所述真空度檢測值小于或等于所述第三閾值時，控制所述第二真空泵待機。
4.根據權利要求1所述的真空系統，其特征在于，還包括多個進氣支管，所述各進氣支管的一端與所述第一進氣管相連，所述各進氣支管的另一端分別與所述腔室的一個側壁相連，其中，所述腔室的各側壁連接一個所述進氣支管。
5.根據權利要求4所述的真空系統，其特征在于，所述進氣支管與所述腔室側壁相連的一端設置有噴嘴，所述噴嘴位于所述腔室內。
6.根據權利要求2所述的真空系統，其特征在于，所述第一氣體和所述第二氣體為氮氣。
7.一種控制方法，其特征在于，包括以下步驟：
開啟第一真空泵，以對腔室進行抽真空，并檢測所述腔室內的真空度；
將真空度檢測值與預設的第一閾值相比較，若真空度檢測值大于所述第一閾值，則判斷所述第一真空泵的開啟時長是否達到預設的第一時長，若是，則控制所述第一真空泵待機，并向所述腔室內通入第一氣體。
8.根據權利要求7所述的控制方法，其特征在于，所述控制所述第一真空泵待機之后，所述方法還包括：向所述第一真空泵內通入第二氣體。
9.根據權利要求8所述的控制方法，其特征在于，所述向所述腔室內通入第一氣體之后，所述方法還包括：
將真空度檢測值與預設的第二閾值相比較，若真空度檢測值大于或等于所述第二閾值，則停止向所述腔室內通入第一氣體，且停止向所述第一真空泵內通入第二氣體，并開啟第一真空泵，以循環多次。
10.根據權利要求7-9任一項所述的控制方法，其特征在于，所述方法還包括：
若真空度檢測值小于或等于所述第一閾值，則控制所述第一真空泵待機，并開啟第二真空泵；
將真空度檢測值與預設的第三閾值相比較，若真空度檢測值小于或等于所述第三閾值，則控制所述第二真空泵待機。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
