[發(fā)明專(zhuān)利]用于光刻邊緣放置誤差提前矯正的對(duì)齊節(jié)距四等分圖案化在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680084257.7 | 申請(qǐng)日： | 2016-03-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN108885974A | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-11-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | C.H.華萊士;M.錢(qián)德霍克;P.A.尼休斯;E.漢;S.A.博雅爾斯基;F.格斯特賴(lài)因;G.辛格 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 英特爾公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L21/027 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L21/027;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;張金金 |
| 地址： | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 移除 圖案化硬掩模 半導(dǎo)體鰭片 硬掩模層 襯底 鰭片 半導(dǎo)體 邊緣放置誤差 二嵌段共聚物 聚合物嵌段 對(duì)齊 光刻 節(jié)距 矯正 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 圖案化方式 圖案化 掩模 制作 | ||
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：
從半導(dǎo)體襯底的大體上平坦表面突出的多個(gè)半導(dǎo)體鰭片，所述多個(gè)半導(dǎo)體鰭片具有被具有第一鰭片部分的第一位置所中斷并且被具有第二鰭片部分的第二位置所中斷的格圖案，所述第一鰭片部分具有第一高度，所述第二鰭片部分具有與所述第一高度不同的第二高度；
溝槽隔離層，所述溝槽隔離層被設(shè)置在所述多個(gè)半導(dǎo)體鰭片之間，并且與所述多個(gè)半導(dǎo)體鰭片的下部分相鄰，但是沒(méi)有與所述多個(gè)半導(dǎo)體鰭片的上部分相鄰，并且其中所述溝槽隔離層被設(shè)置在所述第一和第二鰭片部分之上；
一個(gè)或多個(gè)柵電極堆疊，所述一個(gè)或多個(gè)柵電極堆疊被設(shè)置在所述多個(gè)半導(dǎo)體鰭片的所述上部分的頂表面和側(cè)壁上，以及在所述溝槽隔離層的部分上；以及
源和漏區(qū)，所述源和漏區(qū)被設(shè)置在所述一個(gè)或多個(gè)柵電極堆疊的任一側(cè)上。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述格圖案具有恒定節(jié)距。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述源和漏區(qū)被設(shè)置成與所述多個(gè)半導(dǎo)體鰭片的所述上部分相鄰，并且包括與所述半導(dǎo)體鰭片的半導(dǎo)體材料不同的所述半導(dǎo)體材料。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述源和漏區(qū)被設(shè)置在所述多個(gè)半導(dǎo)體鰭片的所述上部分內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)柵電極堆疊包括高k柵介電層和金屬柵電極。
6.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：
從半導(dǎo)體襯底的大體上平坦表面突出的多個(gè)半導(dǎo)體鰭片，所述多個(gè)半導(dǎo)體鰭片具有被具有第一凹口的第一位置所中斷的格圖案，所述第一凹口在所述半導(dǎo)體襯底的所述大體上平坦表面下方；
溝槽隔離層，所述溝槽隔離層被設(shè)置在所述多個(gè)半導(dǎo)體鰭片之間，并且與所述多個(gè)半導(dǎo)體鰭片的下部分相鄰，但是沒(méi)有與所述多個(gè)半導(dǎo)體鰭片的上部分相鄰，并且其中所述溝槽隔離層被設(shè)置在所述第一凹口之中和之上；
一個(gè)或多個(gè)柵電極堆疊，所述一個(gè)或多個(gè)柵電極堆疊被設(shè)置在所述多個(gè)半導(dǎo)體鰭片的所述上部分的頂表面和側(cè)壁上，以及在所述溝槽隔離層的部分上；以及
源和漏區(qū)，所述源和漏區(qū)被設(shè)置在所述一個(gè)或多個(gè)柵電極堆疊的任一側(cè)上。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述格圖案還被具有第二凹口的第二位置所中斷，并且其中所述溝槽隔離層被設(shè)置在所述第二凹口之中和之上，所述第二凹口在所述半導(dǎo)體襯底的所述大體上平坦表面下方。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述格圖案還被具有鰭片部分的第二位置所中斷，并且其中所述溝槽隔離層被設(shè)置在所述鰭片部分之上，所述鰭片部分在所述半導(dǎo)體襯底的所述大體上平坦表面下方。
9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述格圖案具有恒定節(jié)距。
10.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述源和漏區(qū)被設(shè)置成與所述多個(gè)半導(dǎo)體鰭片的所述上部分相鄰，并且包括與所述半導(dǎo)體鰭片的半導(dǎo)體材料不同的所述半導(dǎo)體材料。
11.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述源和漏區(qū)被設(shè)置在所述多個(gè)半導(dǎo)體鰭片的所述上部分內(nèi)。
12.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述一個(gè)或多個(gè)柵電極堆疊包括高k柵介電層和金屬柵電極。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
