1.用于制造經(jīng)涂布的非金屬基質(zhì)，尤其是經(jīng)涂布的塑料基質(zhì)的方法，其包括

a)提供非金屬基質(zhì)，尤其是塑料基質(zhì)，所述基質(zhì)具有能夠在至少一部分區(qū)域被涂布的至少一個(gè)表面，

b)提供用于應(yīng)用金屬層的應(yīng)用系統(tǒng)，尤其是真空氣相沉積系統(tǒng)或?yàn)R射系統(tǒng)，

c)提供至少一個(gè)等離子發(fā)生器和/或至少一個(gè)電暈系統(tǒng)，尤其是在所述用于應(yīng)用金屬層的應(yīng)用系統(tǒng)中提供，或作為其組件，所述應(yīng)用系統(tǒng)例如真空氣相沉積系統(tǒng)或?yàn)R射系統(tǒng)，

d)適當(dāng)時(shí)，對(duì)于所述非金屬基質(zhì)，尤其是塑料基質(zhì)，或者對(duì)于所述非金屬基質(zhì)的可涂布表面，尤其是塑料基質(zhì)的可涂布表面，使用等離子發(fā)生器進(jìn)行等離子處理和/或進(jìn)行電暈處理，

e)適當(dāng)時(shí)，使用至少一種有機(jī)硅化合物處理步驟a)或d)獲得的非金屬基質(zhì)，尤其是塑料基質(zhì)，或者處理所述非金屬基質(zhì)的可涂布表面，尤其是所述塑料基質(zhì)的可涂布表面，尤其是通過(guò)等離子聚合的方式進(jìn)行處理，由此形成聚硅氧烷層，

f)適當(dāng)時(shí)，對(duì)于步驟e)的聚硅氧烷層使用等離子發(fā)生器進(jìn)行等離子處理和/或進(jìn)行電暈處理，

g)適當(dāng)時(shí)，將至少一層底涂層應(yīng)用至步驟a)或d)的非金屬基質(zhì)上，尤其是步驟a)或d)的塑料基質(zhì)上，或者應(yīng)用至步驟a)或d)的非金屬基質(zhì)的可涂布表面上，尤其是應(yīng)用至步驟a)或d)的塑料基質(zhì)的可涂布表面上，或者應(yīng)用至步驟e)或f)的聚硅氧烷層上，

h)適當(dāng)時(shí)，對(duì)于步驟g)的底涂層使用等離子發(fā)生器進(jìn)行等離子處理和/或進(jìn)行電暈處理，

i)適當(dāng)時(shí)，使用至少一種有機(jī)硅化合物處理步驟g)或h)獲得的底涂層，尤其是通過(guò)等離子聚合的方式進(jìn)行處理，由此形成聚硅氧烷層，

j)適當(dāng)時(shí)，對(duì)于步驟i)的聚硅氧烷層使用等離子發(fā)生器進(jìn)行等離子處理和/或進(jìn)行電暈處理，

k)使用所述應(yīng)用系統(tǒng)，尤其是通過(guò)氣相沉積和/或?yàn)R射技術(shù)的方式，將至少一層金屬層應(yīng)用至步驟a)或d)的非金屬基質(zhì)上，尤其是步驟a)或d)的塑料基質(zhì)上，或者應(yīng)用至步驟a)或d)的非金屬基質(zhì)的可涂布表面上，尤其是步驟a)或d)的塑料基質(zhì)的可涂布表面上，或者應(yīng)用至步驟e)或f)的聚硅氧烷層上，或者應(yīng)用至步驟g)或h)的底涂層上，或者應(yīng)用至步驟i)或j)的聚硅氧烷層上，所述金屬層含有第一金屬或由第一金屬組成，所述第一金屬選自鋁、銀、金、鉛、釩、錳、鎂、鐵、鈷、鎳、銅、鉻、鈀、鉬、鎢、鉑、鈦、鋯和鋅，尤其是鋁，或者所述金屬層含有第一金屬合金或由第一金屬合金組成，所述第一金屬合金選自黃銅，青銅，鋼、尤其是特殊鋼或不銹鋼，以及鋁、鎂和鈦的合金，

l)適當(dāng)時(shí)，對(duì)于步驟k)的金屬層使用等離子發(fā)生器進(jìn)行等離子處理和/或進(jìn)行電暈處理，

m)使用至少一種有機(jī)硅化合物處理步驟k)或l)獲得的金屬層，尤其是通過(guò)等離子聚合的方式進(jìn)行處理，由此形成聚硅氧烷層，

n)對(duì)于步驟m)的聚硅氧烷層使用等離子發(fā)生器進(jìn)行等離子處理和/或進(jìn)行電暈處理，以及

o)將外涂層，尤其是透明外涂層應(yīng)用至步驟n)的經(jīng)處理的聚硅氧烷層上。