[發明專利]熔絲元件、熔絲器件、保護元件、短路元件、切換元件有效
| 申請號： | 201680028866.0 | 申請日： | 2016-06-04 |
| 公開（公告）號： | CN107615440B | 公開（公告）日： | 2019-11-01 |
| 發明（設計）人： | 米田吉弘;古內裕治;榊原和征 | 申請（專利權）人： | 迪睿合株式會社 |
| 主分類號： | H01H85/08 | 分類號： | H01H85/08;H01H85/045 |
| 代理公司： | 北京摯誠信奉知識產權代理有限公司 11338 | 代理人： | 邢悅;王永輝 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 元件 器件 保護 短路 切換 | ||
1.一種熔絲元件，具有：
低熔點金屬層，
在所述低熔點金屬層上層疊的、熔點比所述低熔點金屬層高的第1高熔點金屬層，以及
具有熔點比所述低熔點金屬層高的高熔點物質并且限制所述低熔點金屬的流動或者所述第1高熔點金屬層與所述低熔點金屬層的層疊體的變形的限制部，
所述限制部形成在所述低熔點金屬層設置的1個或者多個孔的側面的至少一部分。
2.如權利要求1所述的熔絲元件，
所述限制部具有與熔融的低熔點金屬的流動方向不平行的面或者與所述第1高熔點金屬層不一致的面。
3.如權利要求1所述的熔絲元件，
所述限制部，由與所述第1高熔點金屬層連接的第2高熔點金屬層被覆在所述低熔點金屬層設置的1個或者多個所述孔的側面的至少一部分。
4.如權利要求3所述的熔絲元件，
所述孔是貫通孔或者非貫通孔。
5.如權利要求3或4所述的熔絲元件，
所述孔由所述第2高熔點金屬填充。
6.如權利要求3或4所述的熔絲元件，
所述孔形成為截面錐狀或者截面矩形狀。
7.如權利要求3或4所述的熔絲元件，
所述孔的最小直徑為50μm以上。
8.如權利要求3或4所述的熔絲元件，
所述孔的深度為所述低熔點金屬層的厚度的50％以上。
9.如權利要求3或4所述的熔絲元件，
所述孔設置成每15×15mm為1個以上。
10.如權利要求3或4所述的熔絲元件，
所述孔為非貫通孔，在所述低熔點金屬層的一個面和另一個面形成為相互相對或不相對。
11.如權利要求3或4所述的熔絲元件，
所述孔至少設置在熔絲元件的中央部，或者，通過該熔絲元件的中心的線的兩側的孔的數量差或者密度差為50％以下。
12.如權利要求1所述的熔絲元件，
所述限制部將熔點比所述低熔點金屬層高的第1高熔點粒子配合于所述低熔點金屬層。
13.如權利要求12所述的熔絲元件，
所述第1高熔點粒子與在所述低熔點金屬層的兩面層疊的所述第1高熔點金屬層接觸，支撐所述第1高熔點金屬層。
14.如權利要求12所述的熔絲元件，
所述第1高熔點粒子的粒徑小于所述低熔點金屬層的厚度。
15.如權利要求1所述的熔絲元件，
所述限制部將熔點比所述低熔點金屬層高的第2高熔點粒子壓入到所述低熔點金屬層而形成。
16.如權利要求1或3所述的熔絲元件，
所述限制部將熔點比所述低熔點金屬層高的第2高熔點粒子壓入到所述第1高熔點金屬層與所述低熔點金屬層的層疊體而形成。
17.如權利要求16所述的熔絲元件，
所述第2高熔點粒子設置有與所述第1高熔點金屬層接合的突緣部。
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