[發(fā)明專利]豎直堆疊系統(tǒng)級(jí)封裝及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680023338.6 | 申請(qǐng)日： | 2016-03-08 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107533985B | 公開（公告）日： | 2020-08-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 翟軍;胡坤忠 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘋果公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/56 | 分類號(hào)： | H01L21/56;H01L23/00;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人： | 邊海梅 |
| 地址： | 美國(guó)加*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 豎直 堆疊 系統(tǒng) 封裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種豎直堆疊系統(tǒng)級(jí)封裝SiP，包括：
一對(duì)第一級(jí)裸片，所述一對(duì)第一級(jí)裸片包封在第一級(jí)模制化合物中；
第一再分配層RDL，所述第一再分配層位于所包封的所述一對(duì)第一級(jí)裸片上；
第二級(jí)裸片疊堆，所述第二級(jí)裸片疊堆包括在第一RDL上并包封在第二級(jí)模制化合物中的一對(duì)背對(duì)背堆疊的裸片；
第二RDL，所述第二RDL位于所包封的第二級(jí)裸片疊堆上；
第三級(jí)裸片，所述第三級(jí)裸片位于所述第二RDL上并包封在第三級(jí)模制化合物中，其中所述第三級(jí)裸片背面朝向所述第二RDL；以及
第三RDL，所述第三RDL位于所包封的第三級(jí)裸片上；
其中第一級(jí)裸片中的每個(gè)是第一類型的裸片并且背對(duì)背堆疊的裸片中的每個(gè)是與第一類型的裸片不同的第二類型的裸片，背對(duì)背堆疊的裸片中的每個(gè)具有比第一級(jí)裸片中的每個(gè)更大的x-y尺寸，并且第三級(jí)裸片是不同于第一類型的裸片和第二類型的裸片兩者的第三類型的裸片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的豎直堆疊系統(tǒng)級(jí)封裝SiP，其中所述第三RDL直接位于所述第三級(jí)裸片的柱形凸塊上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的豎直堆疊系統(tǒng)級(jí)封裝SiP，其中所述第三RDL直接位于所述第三級(jí)裸片的接觸墊上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的豎直堆疊系統(tǒng)級(jí)封裝SiP，其中利用裸片附接膜將所述第三級(jí)裸片附接到所述第二RDL。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的豎直堆疊系統(tǒng)級(jí)封裝SiP，其中所述第一級(jí)裸片中的每個(gè)正面朝向所述第一RDL，并且所述第一RDL直接位于用于所述第一級(jí)裸片中的每個(gè)的導(dǎo)電凸塊上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的豎直堆疊系統(tǒng)級(jí)封裝SiP，其中所述一對(duì)背對(duì)背堆疊的裸片包括粘結(jié)到所述第一RDL的第一-第二級(jí)裸片，以及第二-第二級(jí)裸片，其中所述第二RDL位于所述第二-第二級(jí)裸片上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的豎直堆疊系統(tǒng)級(jí)封裝SiP，其中利用焊料將所述第一-第二級(jí)裸片粘結(jié)到所述第一RDL。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的豎直堆疊系統(tǒng)級(jí)封裝SiP，其中所述第二RDL直接位于所述第二-第二級(jí)裸片的柱形凸塊上。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的豎直堆疊系統(tǒng)級(jí)封裝SiP，還包括從所述第一RDL延伸至所述第二RDL的多個(gè)第二級(jí)導(dǎo)電柱，其中利用所述第二級(jí)模制化合物包封所述多個(gè)第二級(jí)導(dǎo)電柱。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的豎直堆疊系統(tǒng)級(jí)封裝SiP，還包括從所述第二RDL延伸至所述第三RDL的多個(gè)第三級(jí)導(dǎo)電柱，其中利用所述第三級(jí)模制化合物包封所述多個(gè)第三級(jí)導(dǎo)電柱。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的豎直堆疊系統(tǒng)級(jí)封裝SiP，還包括所述第三級(jí)裸片上的位于所述第三RDL的相反側(cè)上的多個(gè)導(dǎo)電凸塊。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的豎直堆疊系統(tǒng)級(jí)封裝SiP，還包括：
多個(gè)第一級(jí)導(dǎo)電柱，所述多個(gè)第一級(jí)導(dǎo)電柱延伸穿過(guò)所述第一級(jí)模制化合物；以及
第二封裝，所述第二封裝位于所述第一級(jí)模制化合物上并與所述多個(gè)第一級(jí)導(dǎo)電柱電連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的豎直堆疊系統(tǒng)級(jí)封裝SiP，其中所述第一類型的裸片是易失性存儲(chǔ)器裸片，并且所述第二類型的裸片是非易失性存儲(chǔ)器裸片。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的豎直堆疊系統(tǒng)級(jí)封裝SiP，其中所述第三類型的裸片是邏輯裸片。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的豎直堆疊系統(tǒng)級(jí)封裝SiP，其中：
所述第一級(jí)裸片中的每個(gè)為DRAM裸片；
所述背對(duì)背堆疊的裸片中的每個(gè)為NAND裸片；并且
所述第三級(jí)裸片為SoC裸片。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
