技術領域

本發明的實施例總體涉及半導體領域，更具體地，涉及半導體封裝結構及其返工工藝。

背景技術

近年來，由于各種電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成度的持續提高，半導體工業已經經歷了快速增長。多數情況下，這種集成密度的改進來自于最小特征尺寸的不斷減小，這使得更多的組件集成到給定的區域。隨著近年來對更小電子器件的需求的增長，對半導體管芯的更小和更具創造性的封裝技術的需求也已經增長。

這些封裝技術的實例是層疊封裝(PoP)技術。在PoP封裝中，頂部半導體封裝件堆疊在底部半導體封裝件的頂部上以允許高度集成和高組件密度。這種PoP技術的高度集成使得半導體器件的產品具有增強的功能和在印刷電路板(PCB)上具有小的覆蓋區。

發明內容

根據本發明的一個方面，提供了一種用于半導體封裝結構的返工方法，包括：用第一組焊料接頭將第一封裝件接合至第二封裝件的第一組導電焊盤；測試所述第一封裝件的缺陷；根據測試的所述第一封裝件的缺陷，通過將激光束引導至所述第一封裝件的表面處來加熱所述第一組焊料接頭；在所述第一組焊料接頭加熱之后，去除所述第一封裝件；以及將第三封裝件接合至所述第二封裝件的所述第一組導電焊盤。

根據本發明的另一方面，提供了一種方法，包括：將激光束引導至第一半導體封裝件處以熔化焊料接頭，所述焊料接頭將所述第一半導體封裝件的第一接觸焊盤接合至第二半導體封裝件的第二接觸焊盤；使用第一接合頭來去除所述第一半導體封裝件；以及將置換的半導體封裝件接合至所述第二接觸焊盤。

根據本發明的又一方面，提供了一種封裝結構，包括：第一封裝件，包括：第一管芯，位于介電層上方；電連接件，鄰近所述第一管芯并且從所述第一管芯的第一側延伸至所述第一管芯的第二側，所述第二側與所述第一側相對；模塑料，至少橫向包封所述第一管芯和所述電連接件；互連結構，位于所述第一管芯的所述第一側和所述模塑料上方；集成無源器件，位于所述互連結構上方并且通過第一組焊料接頭而電連接至所述互連結構；以及第一組導電連接件，位于所述互連結構上方并且電連接至所述互連結構，所述第一組導電連接件包括第一導電連接件和第二導電連接件，所述第一導電連接件比所述第二導電連接件更靠近所述集成無源器件，所述第一導電連接件比所述第二導電連接件具有更厚的金屬間化合物層。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各個方面。應該指出，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1至圖18示出了根據一些實施例的用于形成第一封裝結構的工藝期間的中間步驟的截面圖。

圖19至圖25示出了根據一些實施例的測試和返工工藝的截面圖。

圖26至圖28示出了根據一些實施例的用于進一步形成第一封裝件并且將其它封裝結構附接至第一封裝件的工藝期間的中間步驟的截面圖。

具體實施方式

以下公開內容提供了許多用于實現所提供主題的不同特征的不同實施例或實例。下面描述了組件和布置的具體實例以簡化本發明。當然，這些僅僅是實例，而不旨在限制本發明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實例。此外，本發明可在各個實施例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。

而且，為便于描述，在此可以使用諸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空間相對術語，以描述如圖所示的一個元件或部件與另一個(或另一些)原件或部件的關系。除了圖中所示的方位外，空間相對術語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉90度或在其他方位上)，而本文使用的空間相對描述符可以同樣地做出相應的解釋。