技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種QLED器件及其制備方法。

背景技術

以量子點材料作為發光層的量子點發光二極管(QLED)是目前新型LED研究的主要方向之一，具有光色純度高、發光量子效率高、發光顏色可調、使用壽命長等優點，并在照明以及平板顯示領域具有廣闊的應用前景。表征QLED器件主要的參數之一是外量子效率，其影響因素主要有以下幾個：(1)電子、空穴的注入平衡；(2)電子、空穴的復合速度；(3)內量子效率；(4)出光效率。其中，電子、空穴的注入平衡對于提高外量子效率以及延長其使用壽命較為關鍵，但現有的QLED器件，其電子、空穴的注入平衡仍有待提高，即現有的QLED器件載流子注入速率表現并不平衡。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種QLED器件及其制備方法，旨在解決現有QLED器件的電子、空穴的注入平衡仍有待提高的問題。

本發明的技術方案如下：

一種QLED器件，其中，所述QLED器件為柱狀結構，所述QLED器件從內到外依次包括內層電極、功能層和外層電極。

所述的QLED器件，其中，所述功能層從內到外依次包括：電子傳輸層、量子點發光層、空穴傳輸層、空穴注入層。

所述的QLED器件，其中，所述功能層從內到外依次包括：空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層。

所述的QLED器件，其中，所述電子傳輸層的材料為ZnO、TiO₂、SnO、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的一種或多種。

所述的QLED器件，其中，所述空穴注入層的材料為PEDOT: PSS、氧化鉬、氧化釩、氧化鎢和氧化鉻中的一種或多種。

所述的QLED器件，其中，所述空穴傳輸層的材料為 Poly-THX、TFB、PVK、CBP和TCTA中的一種或多種。

所述的QLED器件，其中，所述的量子點發光層中的量子點為二元相量子點、三元相量子點或四元相量子點；所述二元相量子點為CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS中的一種或幾種，所述三元相量子點為Zn_xCd_1-xS、Cu_xIn_1-xS、Zn_xCd_1-xSe、Zn_xSe_1-xS、Zn_xCd_1-xTe、PbSe_xS_1-x中的一種或幾種，所述四元相量子點為Zn_xCd_1-xS/ZnSe、Cu_xIn_1-xS/ZnS、Zn_xCd_1-xSe/ZnS、CuInSeS、Zn_xCd_1-xTe/ZnS、 PbSe_xS_1-x/ZnS中的一種或幾種。

一種如上所述的QLED器件的制備方法，其中，包括步驟：

A、先在襯底上沉積出柱狀的內層電極；

B、然后在內層電極表面沉積功能層；

C、最后在功能層表面沉積外層電極，然后進行封裝得到QLED器件。

所述的QLED器件的制備方法，其中，所述步驟A具體包括：

A1、在襯底上移植多孔膜；

A2、在所述多孔膜上的孔道內沉積柱狀的內層電極；

A3、對所述多孔膜的孔道進行擴孔處理，使所述多孔膜的孔道孔徑變大。

所述的QLED器件的制備方法，其中，所述多孔膜為多孔陽極氧化鋁膜。

有益效果：本發明對傳統層狀QLED器件結構進行結構改進和優化，形成柱狀結構的QLED器件，通過柱狀結構來平衡載流子注入速率，從而提高器件發光效率，同時柱狀結構也可提高出器件出光率。

附圖說明

圖1為本發明一種QLED器件較佳實施例的第一視角結構示意圖。

圖2為本發明一種QLED器件較佳實施例的第二視角結構示意圖。

圖3為本發明一種QLED器件的制備方法較佳實施例的流程圖。

圖4為本發明一種QLED器件具體實施例一的結構示意圖。

圖5為本發明一種QLED器件具體實施例二的結構示意圖。