1.一種QLED器件，其特征在于，所述QLED器件為柱狀結構，所述QLED器件從內到外依次包括內層電極、功能層和外層電極。

2.根據權利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述功能層從內到外依次包括：電子傳輸層、量子點發光層、空穴傳輸層、空穴注入層。

3.根據權利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述功能層從內到外依次包括：空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層。

4.根據權利要求2或3所述的QLED器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材料為ZnO、TiO₂、SnO、AlZnO、ZnSnO和InSnO中的一種或多種。

5.根據權利要求2或3所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料為PEDOT: PSS、氧化鉬、氧化釩、氧化鎢和氧化鉻中的一種或多種。

6.根據權利要求2或3所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料為 Poly-THX、TFB、PVK、CBP和TCTA中的一種或多種。

7.根據權利要求2或3所述的QLED器件，其特征在于，所述的量子點發光層中的量子點為二元相量子點、三元相量子點或四元相量子點；所述二元相量子點為CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS中的一種或幾種，所述三元相量子點為Zn_xCd_1-xS、Cu_xIn_1-xS、Zn_xCd_1-xSe、Zn_xSe_1-xS、Zn_xCd_1-xTe、PbSe_xS_1-x中的一種或幾種，所述四元相量子點為Zn_xCd_1-xS/ZnSe、Cu_xIn_1-xS/ZnS、Zn_xCd_1-xSe/ZnS、CuInSeS、Zn_xCd_1-xTe/ZnS、 PbSe_xS_1-x/ZnS中的一種或幾種。

8.一種如權利要求1所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，包括步驟：

A、先在襯底上沉積出柱狀的內層電極；

B、然后在內層電極表面沉積功能層；

C、最后在功能層表面沉積外層電極，然后進行封裝得到QLED器件。

9.根據權利要求8所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，所述步驟A具體包括：

A1、在襯底上移植多孔膜；

A2、在所述多孔膜上的孔道內沉積柱狀的內層電極；

A3、對所述多孔膜的孔道進行擴孔處理，使所述多孔膜的孔道孔徑變大。

10.根據權利要9所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，所述多孔膜為多孔陽極氧化鋁膜。