[發(fā)明專利]一種基于絕緣體上硅薄膜(SOI)的1×8高性能光子晶體并行復(fù)用傳感器陣列結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611165545.3 | 申請日: | 2016-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN106772703B | 公開(公告)日: | 2019-08-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 田慧平;付中原;孫富君;王春紅;丁兆祥;王超 | 申請(專利權(quán))人: | 北京郵電大學(xué) |
| 主分類號: | G02B1/00 | 分類號: | G02B1/00;G02B6/12;G01N21/41 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100876 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 絕緣體 薄膜 soi 性能 光子 晶體 并行 傳感器 陣列 結(jié)構(gòu) | ||
本發(fā)明涉及一種基于絕緣體上硅薄膜(SOI)的1×8高性能光子晶體并行復(fù)用傳感器陣列結(jié)構(gòu)。本發(fā)明將一個1×8分束器,八個一維光子晶體槽納米束微腔(1DPC?SNCs),八個漸變型一維光子晶體帶阻濾波器(1DPC?TNBF)和一個8×1耦合器串聯(lián)在二氧化硅襯底上。通過將空氣槽加入光子晶體微腔,在保證高Q值得前提下將靈敏度提高到400nm/RIU以上,通過優(yōu)化微腔的結(jié)構(gòu),其Q值可達(dá)7×105。一維光子晶體帶阻濾波器可以實現(xiàn)對微腔高階模的濾波,實現(xiàn)比較大的自由光譜范圍(FSR),通過與分束/耦合器的級聯(lián),可以實現(xiàn)在一個輸入/輸出端口下的大規(guī)模、同時詢問的并行復(fù)用傳感。復(fù)用結(jié)構(gòu)的整體尺寸只有64×16μm2(傳感區(qū)域26×16μm2),并且沒有設(shè)計懸浮區(qū)域,提高了結(jié)構(gòu)強(qiáng)度并降低了制作難度。本發(fā)明可用于超緊湊氣體環(huán)境復(fù)用傳感領(lǐng)域。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種基于絕緣體上硅薄膜(SOI)的1×8高性能光子晶體并行復(fù)用傳感器陣列結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
近年來,基于等離子體亞微米功率分束器(文獻(xiàn)1:J.Wang,X.Guan,Y.He,Y.Shi,Z.Wang,S.He,P.Holmstr,L.Wosinski,L.Thylen,and D.Dai,“Sub-μm 2power splittersby using silicon hybrid plasmonic waveguides,”O(jiān)ptics express,19(2),838-847(2011))、多模干涉分束器(文獻(xiàn)2:Z.Sheng,Z.Wang,C.Qiu,et al,“A compact and low-loss MMI coupler fabricated with CMOS technology,”IEEE Photonics Journal,4(6),2272-2277(2012))和Y型分束器(文獻(xiàn)3:J.Gamet and G.Pandraud,“Ultralow-loss 1×8splitter based on field matching Y junction,”IEEE Photonics TechnologyLetters,16,2060-2062(2004);文獻(xiàn)4:S H.Tao,Q.Fang,J F.Song,et al,“Cascade wide-angle Y-junction 1×16optical power splitter based on silicon wire waveguideson silicon-on-insulator,”O(jiān)ptics Express,16(26),21456-21461(2008))等分束器被廣泛研究。高靈敏度的傳感器如單束光子晶體槽結(jié)構(gòu)(文獻(xiàn)5:D.Yang,P Zhang,H.Tian,Y.Ji,Q.Quan,“Ultrahigh-and Low-Mode-Volume Parabolic Radius-Modulated SinglePhotonic Crystal Slot Nanobeam Cavity for High-Sensitivity Refractive IndexSensing,”IEEE Photonics Journal,7(5),1-8(2015))和雙束光子晶體槽結(jié)構(gòu)(文獻(xiàn)6:J.Zhou,H.Tian,L.Huang,Z.Fu,F.Sun,Y.Ji,“Parabolic tapered coupled two photoniccrystal nanobeam slot cavities for high-FOM biosensing,”)。而傳感器的復(fù)用可以極大提高傳感器效率,因此各種類型的光子晶體傳感器陣列(文獻(xiàn)7:S.Mandal,D.Erickson,“Nanoscale optofluidic sensor arrays,”O(jiān)ptics Express,16(3),1623-1631(2008);文獻(xiàn)8:D.Yang,H.Tian,Y.Ji,“Nanoscale photonic crystal sensor arrayson monolithic substrates using side-coupled resonant cavity arrays,”O(jiān)pticsexpress,19(21),20023-20034(2011);文獻(xiàn)9:J.Zhou,L.Huang,Z.Fu,F.Sun,H.Tian,“Multiplexed Simultaneous High Sensitivity Sensors with High-Order Mode Basedon the Integration of Photonic Crystal 1×3Beam Splitter and Three DifferentSingle-Slot PCNCs,”Sensors,16(7),1050(2016);文獻(xiàn)10:D.Yang,C.Wang,Y.Ji,“Silicon on-chip 1D photonic crystal nanobeam bandstop filters for theparallel multiplexing of ultra-compact integrated sensor array,”O(jiān)pticsExpress,24(15),16267-16279(2016))被先后提出。這些傳感陣列,分別具有高靈敏度、高集成度、多路復(fù)用、高結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,低設(shè)計難度的一項或幾項特點。本傳感陣列結(jié)構(gòu)特色是絕緣體上硅結(jié)構(gòu)(SOI)被應(yīng)用于整個設(shè)計,沒有設(shè)計任何懸浮區(qū)域,可以同時實現(xiàn)高靈敏度、高集成度、多路復(fù)用、高結(jié)構(gòu)強(qiáng)度和低設(shè)計難度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京郵電大學(xué),未經(jīng)北京郵電大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/201611165545.3/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





