[發(fā)明專利]一種基于絕緣體上硅薄膜(SOI)的1×8高性能光子晶體并行復(fù)用傳感器陣列結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611165545.3 | 申請日： | 2016-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN106772703B | 公開（公告）日： | 2019-08-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 田慧平;付中原;孫富君;王春紅;丁兆祥;王超 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京郵電大學(xué) |
| 主分類號： | G02B1/00 | 分類號： | G02B1/00;G02B6/12;G01N21/41 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100876 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 絕緣體 薄膜 soi 性能 光子 晶體 并行 傳感器 陣列 結(jié)構(gòu) | ||
1.基于絕緣體上硅薄膜(SOI)的1×8高性能光子晶體并行復(fù)用傳感器陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：該光子晶體傳感器陣列是基于一維納米束波導(dǎo)和硅波導(dǎo)分束/耦合器相結(jié)合，形成空氣孔硅介質(zhì)SOI背景結(jié)構(gòu)；在一維光子晶體中引入槽結(jié)構(gòu)并與硅波導(dǎo)和漸變型一維光子晶體濾波器直接耦合，通過級聯(lián)分束/耦合器實(shí)現(xiàn)并行光子晶體傳感器陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于絕緣體上硅薄膜(SOI)的1×8高性能光子晶體并行復(fù)用傳感器陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：將一個1×8分束器，8個一維光子晶體納米束槽微腔，8個漸變型一維光子晶體帶阻濾波器和一個8×1耦合器級聯(lián)在二氧化硅襯底上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于絕緣體上硅薄膜(SOI)的1×8高性能光子晶體并行復(fù)用傳感器陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：傳感器整體結(jié)構(gòu)基于SOI，結(jié)構(gòu)呈左右對稱，硅波導(dǎo)寬度w＝650nm，厚度h＝220nm，中心空氣孔半徑rcenter＝152.6nm，末端空氣孔半徑為rend＝125.8nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于絕緣體上硅薄膜(SOI)的1×8高性能光子晶體并行復(fù)用傳感器陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：在一維光子晶體波導(dǎo)末端引入漸變空氣孔；漸變型一維光子晶體帶阻濾波器由n個半徑相同的空氣孔和兩側(cè)各m個漸變型空氣孔構(gòu)成，整個結(jié)構(gòu)呈左右對稱，硅波導(dǎo)寬度w＝650nm，厚度h＝220nm，中間的空氣孔半徑rf＝90nm，末端空氣孔半徑為rfe＝45nm；兩側(cè)漸變區(qū)域開始的第t個空氣孔半徑符合公式其中t＝1，2，3，…，tmax表示每側(cè)漸變空氣孔的數(shù)量。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于絕緣體上硅薄膜(SOI)的1×8高性能光子晶體并行復(fù)用傳感器陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：傳感器半徑相同區(qū)域空氣孔數(shù)量n＝14，漸變區(qū)域空氣孔數(shù)量m＝3。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于絕緣體上硅薄膜(SOI)的1×8高性能光子晶體并行復(fù)用傳感器陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：1×8分束器和8×1耦合器的結(jié)構(gòu)尺寸分別為24μm×16μm和14μm×16μm。
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