1.一種倒錐型大功率硅鍺光電探測(cè)器，制作在SOI晶圓(1)上，其特征在于：該探測(cè)器包括入射波導(dǎo)(2)、第一重?fù)诫s區(qū)(3)、第二重?fù)诫s區(qū)(4)、第一輕摻雜區(qū)(5)、第二輕摻雜區(qū)(6)、鍺波導(dǎo)(7)、本征區(qū)(8)，光從入射波導(dǎo)(2)入射，所述第一重?fù)诫s區(qū)(3)、第二重?fù)诫s區(qū)(4)、第一輕摻雜區(qū)(5)、第二輕摻雜區(qū)(6)、本征區(qū)(8)組成有兩層臺(tái)階的單脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，第一輕摻雜區(qū)(5)、第二輕摻雜區(qū)(6)、本征區(qū)(8)的橫截面圍成梯形，在梯形與入射波導(dǎo)(2)連接處，梯形寬度與入射波導(dǎo)(2)寬度相等，梯形沿著光傳播方向?qū)挾扔蓪捵冋绘N波導(dǎo)(7)的橫截面為梯形，寬度沿著光傳播方向由窄變寬；本征區(qū)(8)的橫截面為梯形，寬度沿著光傳播方向由寬變窄；

所述入射波導(dǎo)(2)的縱截面為有兩層臺(tái)階的單脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，其中，下層臺(tái)階的高度為h1，上層臺(tái)階的高度為h2，所述第一重?fù)诫s區(qū)(3)、第二重?fù)诫s區(qū)(4)的高度為h1，所述第一輕摻雜區(qū)(5)、第二輕摻雜區(qū)(6)、本征區(qū)(8)的高度為h1+h2。