[發(fā)明專利]裝載端口裝置及向裝載端口裝置的容器內(nèi)的清潔化氣體導(dǎo)入方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611129743.4 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107017190B | 公開(公告)日: | 2020-10-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 岡部勉;及川光壱郎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TDK株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/673 | 分類號(hào): | H01L21/673;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 楊琦 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝載 端口 裝置 容器 清潔 氣體 導(dǎo)入 方法 | ||
本發(fā)明涉及裝載端口裝置及向裝載端口裝置的容器內(nèi)的清潔化氣體導(dǎo)入方法。裝載端口裝置具有:載置臺(tái),其載置在側(cè)面形成有用于使晶圓出入的主開口的容器;開閉部,其用于對(duì)所述主開口進(jìn)行開閉;氣體導(dǎo)入部,其從所述主開口向所述容器的內(nèi)部導(dǎo)入清潔化氣體;氣體排出部,其具有能夠與形成于所述容器的底面中比底面中央更加從所述主開口分開的位置的底孔連通的底部嘴,并且能夠?qū)⑺鋈萜鞯膬?nèi)部的氣體排出到所述容器的外部。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及在對(duì)晶圓實(shí)施處理時(shí)載置收納有晶圓的容器的裝載端口裝置及向裝載端口裝置的容器內(nèi)的清潔化氣體導(dǎo)入方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體的制造工序中,使用稱作前端開口片盒(FOUP)等的容器進(jìn)行各處理裝置之間的晶圓的搬運(yùn)。另外,在對(duì)晶圓實(shí)施處理時(shí),將容器載置于各處理裝置所具備的裝載端口裝置的載置臺(tái),裝載端口裝置使搬運(yùn)容器內(nèi)的空間與處理室的空間連通。由此,可以利用機(jī)械人臂等從搬運(yùn)容器取出晶圓,并將該晶圓交接到處理室。
在此,為了保護(hù)晶圓表面不受氧化或污染影響,優(yōu)選收納晶圓的容器內(nèi)的環(huán)境保持超過規(guī)定狀態(tài)的不活潑狀態(tài)及清潔度。作為提高搬運(yùn)容器內(nèi)的氣體的不活潑狀態(tài)或清潔度的方法,提案有經(jīng)由形成于搬運(yùn)容器的底面的底孔向搬運(yùn)容器導(dǎo)入清潔化氣體的裝載端口裝置(參照專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2007-5607號(hào)公報(bào)
近年來,半導(dǎo)體電路的微細(xì)化進(jìn)展的結(jié)果是,為了保護(hù)晶圓表面不受氧化或污染影響,對(duì)于收納晶圓的容器內(nèi)的環(huán)境也要求更高的清潔度。在進(jìn)行將晶圓容器的環(huán)境保持為清潔的裝載端口的開發(fā)中,存在從剛剛處理之后的晶圓放出的放氣污染收納于容器的處理前后的晶圓的表面的問題,判斷出其成為妨礙品質(zhì)提高的一個(gè)因素。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這種狀況而創(chuàng)立的,提供一種能夠?qū)⑷萜鲀?nèi)的環(huán)境保持為清潔并且能夠保護(hù)晶圓表面不受氧化或污染影響的裝載端口裝置及向裝載端口裝置的容器內(nèi)的清潔化氣體導(dǎo)入方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明所涉及的裝載端口裝置,其特征在于,具有:
載置臺(tái),其載置在側(cè)面形成有用于使晶圓出入的主開口的容器;
開閉部,其用于對(duì)所述主開口進(jìn)行開閉;
氣體導(dǎo)入部,其從所述主開口向所述容器的內(nèi)部導(dǎo)入清潔化氣體;
氣體排出部,其具有能夠與形成于所述容器的底面中比底面中央更加從所述主開口分開的位置的底孔連通的底部嘴,能夠?qū)⑺鋈萜鞯膬?nèi)部的氣體排出到所述容器的外部。
本發(fā)明所涉及的裝載端口裝置具有從主開口導(dǎo)入清潔化氣體的氣體導(dǎo)入部、和能夠從與主開口分開的底孔將容器內(nèi)的氣體排出到外部的氣體排出部,因此,可以在容器內(nèi)形成清潔化氣體的氣流,可以將從剛剛處理之后的晶圓放出的放氣高效地排出到容器的外部。因此,這種裝載端口裝置能夠?qū)⑷萜鲀?nèi)的環(huán)境保持為清潔,能夠保護(hù)晶圓表面不受氧化或污染影響。
另外,例如,也可以是所述氣體排出部具有強(qiáng)制性地排出所述容器的內(nèi)部的氣體的強(qiáng)制排出單元。
由于氣體排出部具有強(qiáng)制排出單元,從而能夠?qū)木A放出的放氣更有效地排出到容器的外部。
本發(fā)明所涉及的向裝載端口裝置的容器內(nèi)的清潔化氣體導(dǎo)入方法,其特征在于,具有:
將在側(cè)面形成有用于使晶圓出入的主開口的容器載置于裝載端口裝置的載置臺(tái)的工序;
在關(guān)閉了所述主開口的狀態(tài)下,從能夠與在載置于所述載置臺(tái)的所述容器的底面形成的底孔連通的底部嘴中的至少一個(gè)向所述容器的內(nèi)部導(dǎo)入清潔化氣體的第一導(dǎo)入工序;
進(jìn)行所述主開口的開放及來自所述底部嘴的清潔化氣體的導(dǎo)入的停止,從所述主開口向所述容器的內(nèi)部導(dǎo)入清潔化氣體的第二導(dǎo)入工序,
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





