技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實施例有關(guān)于用以容納晶片載體的腔室。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體工藝期間，根據(jù)用戶需要處理或加工晶片。在一些工藝中，晶片將具有包含小凸起(hillock)的過度粗糙的表面。小凸起的存在是晶片中可能會引起金屬-金屬短路現(xiàn)象的缺陷。因此，可以對晶片執(zhí)行退火以便放大晶片中的金屬粒度并且避免小凸起現(xiàn)象。然而，針對晶片的退火工藝并不一定足夠快速或有效地執(zhí)行并且小凸起現(xiàn)象仍可能大量存在?？焖偾矣行У貙瑘?zhí)行退火工藝以便減少小凸起現(xiàn)象是非常重要的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實施例的用以容納晶片載體的腔室包括側(cè)壁、冷卻管以及外管。冷卻管安置于所述腔室中。所述冷卻管包括第一區(qū)段，其在所述腔室的高度方向上沿著所述側(cè)壁延伸并且包括多個凈化噴嘴。外管從所述腔室外部延伸到所述腔室內(nèi)部并且連接到所述冷卻管的所述第一區(qū)段以便提供流體給所述冷卻管。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖閱讀時，從以下詳細(xì)描述最好地理解本發(fā)明的實施例的各方面。應(yīng)注意，根據(jù)行業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)慣例，各種特征未按比例繪制。實際上，為了論述清晰起見，可能任意增大或減小各種特征的尺寸。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的腔室的示意圖；

圖2是圖1的腔室的示意性俯視圖；

圖3是沿著線A-A'截取的圖2的腔室的截面圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導(dǎo)體處理站的示意性俯視圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的晶片載體的示意性正視圖；以及

圖6是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的半導(dǎo)體工藝的流程圖。

具體實施方式

以下揭示內(nèi)容提供用于實施所提供的標(biāo)的物的不同特征的許多不同實施例或?qū)嵗Ｏ挛拿枋鼋M件和布置的特定實例以簡化本發(fā)明的實施例。當(dāng)然，這些組件以和布置僅為實例且并不意欲進(jìn)行限制。舉例來說，在以下描述中，第一特征在第二特征之上或上的形成可以包含第一特征與第二特征直接接觸地形成的實施例，并且還可以包含額外特征可以形成于第一特征與第二特征之間從而使得第一特征與第二特征可以不直接接觸的實施例。此外，本發(fā)明可以在各種實例中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。此重復(fù)是出于簡單和清楚的目的，且本身并不指示所論述的各種實施例和/或配置之間的關(guān)系。

此外，為易于描述，例如“在……下”、“在……下方”、“下部”、“在……上方”、“上部”等的空間相對術(shù)語在本文中可以用于描述如圖中所說明的一個元件或特征與另一元件或特征的關(guān)系。除圖中所描繪的定向以外，空間相關(guān)術(shù)語意欲涵蓋裝置在使用或操作中的不同定向。設(shè)備可以其它方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或處于其它定向)，且本文中所使用的空間相關(guān)描述詞同樣可以相應(yīng)地進(jìn)行解釋。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的腔室的示意圖。圖2是圖1的腔室的示意性俯視圖。圖3是沿著線A-A'截取的圖2的腔室的截面圖。參考圖1至圖3，腔室100包含側(cè)壁110、冷卻管120和外管130。冷卻管120安置于腔室100中，并且包含在腔室100的高度方向上沿著側(cè)壁110延伸的第一區(qū)段122。在一些實施例中，如在圖1至圖3中看到，腔室100的高度方向是Y方向。然而，本發(fā)明的實施例并不限于此。腔室100的高度方向是測量腔室100的高度的方向。作為腔室100的高度方向的Y方向僅僅是示例性的并且僅用于更好地描述示例性實施例。第一區(qū)段122包含多個凈化噴嘴122a。腔室100進(jìn)一步包含從腔室100外部延伸到腔室100內(nèi)部的外管130。

在一些實施例中，如在圖1至圖3中看到，冷卻管120進(jìn)一步包含第二區(qū)段124，所述第二區(qū)段具有第一端124a和第二端124b。第二區(qū)段124沿著腔室100的寬度方向延伸。例如，寬度方向是X方向，但這僅僅是示例性的并且僅用于更好地描述示例性實施例。冷卻管120的第一區(qū)段122安置于冷卻管120的第二區(qū)段124下方并且連接到第二區(qū)段124的第一端124a。外管130連接到第一端124a與第二端124b之間的第二區(qū)段124，以便提供流過冷卻管120的第一區(qū)段122和第二區(qū)段124的流體。也就是說，具有在腔室100外部的一部分的外管130可以連接到流體源，以便提供流入腔室100內(nèi)部且流向冷卻管120的流體。在一些實施例中，提供到冷卻管120的流體是冷卻氣體。冷卻氣體可以是適用于冷卻腔室100的任何氣體。然而，本發(fā)明的實施例并不限于此。在一些實施例中，流體還可以是冷卻液體，并且可以是適用于冷卻腔室100的任何液體。