[發(fā)明專利]用以容納晶片載體的腔室在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611113293.X | 申請(qǐng)日： | 2016-12-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107026104A | 公開（公告）日： | 2017-08-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 盧佳暐;王泓智;黃宏麟 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/67 | 分類號(hào)： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司32243 | 代理人： | 顧伯興 |
| 地址： | 中國臺(tái)灣新竹科*** | 國省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用以 容納 晶片 載體 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種用以容納晶片載體的腔室，其特征在于，所述腔室包括：
側(cè)壁；
冷卻管，其安置于所述腔室中，所述冷卻管包括：
第一區(qū)段，其在所述腔室的高度方向上沿著所述側(cè)壁延伸并且包括多個(gè)凈化噴嘴；以及
外管，其從所述腔室外部延伸到所述腔室內(nèi)部并且連接到所述冷卻管的所述第一區(qū)段以便提供流體給所述冷卻管。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
