技術領域

本發明涉及高壓直流換流閥技術領域，具體涉及一種觸發可控硅控制單元和控制方法。

背景技術

可控硅是直流輸電系統的核心元件，而可控硅控制單元的主要作用是對可控硅的監視和觸發，由于可控硅在直流輸電系統中不可或缺的角色，因此對其的保護和及時檢測，便至關重要，就目前國際情況而言，前幾年國外有研發相關的檢測觸發儀器，但由于其造價高，儀器笨重體積大，不方便及時的對其進行檢測；就目前市場調研結果來看，也有相關系列產品，比國外的產品便攜，但是由于無法通過其直接讀取數據，所以對于直流輸電系統來講，這還是一個很耗時費力的工作，由于其重要性，因此在日常站內維護，對檢測數據的及時性要求也比較嚴格。這就造成了對可控硅控制單元快速觸發，數據實時輸出，這樣一個檢測儀的急切需求。

發明內容

本發明的目的在于提供一種觸發可控硅控制單元和控制方法，它能高效控制可控硅觸發，同時準確監測可控硅的基本參數數據。

為解決上述技術問題，本發明公開的一種觸發可控硅控制單元，其特征在于：它包括處理器、可控硅激光發射裝置、可控硅激光接收裝置和可控硅參數采集接口，其中，處理器的可控硅觸發信號輸出端連接可控硅激光發射裝置的信號輸入端，處理器的可控硅觸發狀態信號輸入端連接可控硅激光接收裝置的信號輸出端，處理器的可控硅基本參數數據輸入端連接可控硅參數采集接口的一端；

所述可控硅激光發射裝置的激光信號輸出端連接可控硅控制單元的可控硅激光觸發信號輸入端，可控硅數據采集裝置的可控硅基本參數數據輸出端連接可控硅參數采集接口的另一端；

所述處理器用于通過可控硅數據采集裝置采集可控硅正反重復峰值電壓參數、可控硅回路阻抗和可控硅短路電流；

所述處理器還用于通過可控硅激光發射裝置向可控硅控制單元發送可控硅激光觸發信號；

所述處理器還用于通過可控硅激光接收裝置接收可控硅控制單元反饋的可控硅是否觸發成功的反饋信息。

一種上述觸發可控硅控制單元的控制方法，它包括如下步驟：

步驟1：處理器通過可控硅激光發射裝置向可控硅控制單元發射穩頻的可控硅激光觸發信號；

步驟2：可控硅控制單元將接收到的可控硅激光觸發信號進行放大以及邏輯處理然后觸發可控硅；

步驟3：可控硅控制單元對可控硅是否觸發成功進行判斷，并將可控硅是否觸發成功的反饋信息反饋給處理器；

步驟4：當處理器得到可控硅已經成功觸發的反饋后，處理器通過可控硅參數采集接口采集可控硅的可控硅正反重復峰值電壓參數、可控硅回路阻抗和可控硅短路電流；

步驟5：處理器將采集到的可控硅正反重復峰值電壓參數、可控硅回路阻抗和可控硅短路電流通過顯示器進行顯示。

本發明的工作原理為：本發明將固定激光頻率和占空比的光信號通過光纖發射到可控硅控制單元電路板，可控硅控制單元根據得到的頻率進行判斷觸發可控硅，從而判斷可控硅以及阻尼回路的好壞。

本發明便攜智能，能對可控硅控制單元快速觸發，并能得到可控硅觸發狀態的反饋信息，同時還可以快速準確獲取以觸發可控硅的基本參數數據。本發明可廣泛地應用于ABB結構的500kV及800kV換流閥閥試驗。推廣前景廣闊有很強的實用價值。具有不用維修、適應性強、體積小、重量輕、耗電少、不銹蝕，對人體無害等優點。

附圖說明

圖1是本發明的結構框圖；

圖2是本發明中可控硅激光發射裝置的電路圖；

圖3位本發明中可控硅激光接收裝置的電路圖。

其中，1—處理器、2—可控硅激光發射裝置、3—可控硅激光接收裝置、4—可控硅參數采集接口、5—可控硅數據采集裝置、6—可控硅控制單元、7—顯示器。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例對本發明作進一步的詳細說明：

本發明的所設計的一種觸發可控硅控制單元，它包括處理器1(STM32處理器)、可控硅激光發射裝置2、可控硅激光接收裝置3和可控硅參數采集接口4，其中，處理器1的可控硅觸發信號輸出端連接可控硅激光發射裝置2的信號輸入端，處理器1的可控硅觸發狀態信號輸入端連接可控硅激光接收裝置3的信號輸出端，處理器1的可控硅基本參數數據輸入端連接可控硅參數采集接口4的一端；

所述可控硅激光發射裝置2的激光信號輸出端連接可控硅控制單元6的可控硅激光觸發信號輸入端，可控硅數據采集裝置5的可控硅基本參數數據輸出端連接可控硅參數采集接口4的另一端；