[發(fā)明專利]觸發(fā)可控硅控制單元和控制方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611041953.8 | 申請日： | 2016-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN106655723A | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張貴德;謝祥偉;戴迪;成川;羅俊;鄭華;劉潯;黃瑤玲;吳萍;王麗麗;韓旭鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 國家電網(wǎng)公司;國網(wǎng)湖北省電力公司檢修公司;北京西能達(dá)科技有限公司 |
| 主分類號： | H02M1/06 | 分類號： | H02M1/06 |
| 代理公司： | 武漢開元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司42104 | 代理人： | 潘杰,李滿 |
| 地址： | 100031 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 觸發(fā) 可控硅 控制 單元 方法 | ||
1.一種觸發(fā)可控硅控制單元，其特征在于：它包括處理器(1)、可控硅激光發(fā)射裝置(2)、可控硅激光接收裝置(3)和可控硅參數(shù)采集接口(4)，其中，處理器(1)的可控硅觸發(fā)信號輸出端連接可控硅激光發(fā)射裝置(2)的信號輸入端，處理器(1)的可控硅觸發(fā)狀態(tài)信號輸入端連接可控硅激光接收裝置(3)的信號輸出端，處理器(1)的可控硅基本參數(shù)數(shù)據(jù)輸入端連接可控硅參數(shù)采集接口(4)的一端；
所述可控硅激光發(fā)射裝置(2)的激光信號輸出端連接可控硅控制單元(6)的可控硅激光觸發(fā)信號輸入端，可控硅數(shù)據(jù)采集裝置(5)的可控硅基本參數(shù)數(shù)據(jù)輸出端連接可控硅參數(shù)采集接口(4)的另一端；
所述處理器(1)用于通過可控硅數(shù)據(jù)采集裝置(5)采集可控硅正反重復(fù)峰值電壓參數(shù)、可控硅回路阻抗和可控硅短路電流；
所述處理器(1)還用于通過可控硅激光發(fā)射裝置(2)向可控硅控制單元(6)發(fā)送可控硅激光觸發(fā)信號；
所述處理器(1)還用于通過可控硅激光接收裝置(3)接收可控硅控制單元(6)反饋的可控硅是否觸發(fā)成功的反饋信息。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸發(fā)可控硅控制單元，其特征在于：所述可控硅激光發(fā)射裝置(2)包括電阻R1～電阻R6、鉭電容C1、激光發(fā)射二極管L2、MOS管Q1，其中，鉭電容C1的正極、電阻R1的一端、電阻R2的一端、電阻R3的一端和電阻R4的一端均連接電源，鉭電容C1的負(fù)極接地GND，電阻R1的另一端、電阻R2的另一端、電阻R3的另一端和電阻R4的另一端連接激光發(fā)射二極管L2的正極，激光發(fā)射二極管L2的負(fù)極連接MOS管Q1的源極S，MOS管Q1的漏極D接地GND，處理器(1)的可控硅觸發(fā)信號輸出端連接電阻R5的一端，電阻R5的另一端連接MOS管Q1的柵極G，電阻R6的一端連接MOS管Q1的柵極G，電阻R6的另一端連接MOS管Q1的漏極D，激光發(fā)射二極管L2發(fā)射的激光信號進(jìn)入可控硅控制單元(6)可控硅激光觸發(fā)信號輸入端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸發(fā)可控硅控制單元，其特征在于：所述可控硅激光接收裝置(3)包括電阻R7～電阻R9，激光接收二極管L1和MOS管Q2，其中，電阻R7的一端連接電源，電阻R7的另一端連接激光接收二極管L1的負(fù)極，激光接收二極管L1的正極接地GND，電阻R8的一端連接激光接收二極管L1的負(fù)極，電阻R8的另一端連接MOS管Q2的柵極G，電阻R9的一端連接電源，電阻R9的另一端連接MOS管Q2的漏極D，MOS管Q2的源極S連接激光接收二極管L1的正極，MOS管Q2的漏極D連接處理器(1)的可控硅觸發(fā)狀態(tài)信號輸入端，可控硅控制單元(6)的可控硅是否觸發(fā)成功的反饋信息光信號輸出端通過激光轉(zhuǎn)接頭連接激光接收二極管L1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸發(fā)可控硅控制單元，其特征在于：所述可控硅激光發(fā)射裝置(2)發(fā)射的可控硅激光觸發(fā)信號的激光頻率為10kHZ，占空比為0.05。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸發(fā)可控硅控制單元，其特征在于：所述處理器(1)的顯示信號輸出端還連接有顯示器(7)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸發(fā)可控硅控制單元，其特征在于：所述可控硅參數(shù)采集接口(4)為通信串口。
7.一種權(quán)利要求1所述觸發(fā)可控硅控制單元的控制方法，其特征在于，它包括如下步驟：
步驟1：處理器(1)通過可控硅激光發(fā)射裝置(2)向可控硅控制單元(6)發(fā)射穩(wěn)頻的可控硅激光觸發(fā)信號；
步驟2：可控硅控制單元(6)將接收到的可控硅激光觸發(fā)信號進(jìn)行放大以及邏輯處理然后觸發(fā)可控硅；
步驟3：可控硅控制單元(6)對可控硅是否觸發(fā)成功進(jìn)行判斷，并將可控硅是否觸發(fā)成功的反饋信息反饋給處理器(1)；
步驟4：當(dāng)處理器(1)得到可控硅已經(jīng)成功觸發(fā)的反饋后，處理器(1)通過可控硅參數(shù)采集接口(4)采集可控硅的可控硅正反重復(fù)峰值電壓參數(shù)、可控硅回路阻抗和可控硅短路電流。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的觸發(fā)可控硅控制單元的控制方法，其特征在于：所述步驟4后還包括步驟5：處理器(1)將采集到的可控硅正反重復(fù)峰值電壓參數(shù)、可控硅回路阻抗和可控硅短路電流通過顯示器(7)進(jìn)行顯示。
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備；直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換；以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態(tài)變換器內(nèi)的放電管產(chǎn)生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導(dǎo)電氣體放電管或等效的半導(dǎo)體器件的專用電路，例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導(dǎo)體器件產(chǎn)生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負(fù)載供電的變換裝置的設(shè)備，例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置
