[發(fā)明專利]層疊封裝器件及其形成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610999256.7 | 申請(qǐng)日： | 2016-11-14 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107452692B | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-11-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 曾華偉;蘇安治;陳憲偉;黃立賢;楊天中 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/31 | 分類號(hào)： | H01L23/31;H01L23/498;H01L23/522;H01L23/528;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣新竹科*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 層疊 封裝 器件 及其 形成 方法 | ||
1.一種層疊封裝器件，其特征在于包括：
第一封裝結(jié)構(gòu)，包括：
第一晶粒；以及
多個(gè)有源集成扇出型通孔以及多個(gè)虛設(shè)集成扇出型通孔，位于所述第一晶粒側(cè)邊；以及
第二封裝結(jié)構(gòu)，包括：
多個(gè)有源凸塊，接合至所述多個(gè)有源集成扇出型通孔；以及
多個(gè)虛設(shè)凸塊，接合至所述多個(gè)虛設(shè)集成扇出型通孔，
其中在一橫截面上，所述多個(gè)虛設(shè)凸塊的數(shù)目相同于所述多個(gè)虛設(shè)集成扇出型穿孔的數(shù)目，且所述多個(gè)虛設(shè)凸塊分別直接接合至所述多個(gè)虛設(shè)集成扇出型穿孔中對(duì)應(yīng)的一個(gè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊封裝器件，其特征在于，位于所述第一晶粒的第一側(cè)的所述有源集成扇出型穿孔以及所述虛設(shè)集成扇出型穿孔的分布實(shí)質(zhì)上對(duì)稱于位于所述第一晶粒的第二側(cè)的所述有源集成扇出型穿孔以及所述虛設(shè)集成扇出型穿孔的分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊封裝器件，其特征在于，所述有源集成扇出型穿孔的高度實(shí)質(zhì)上相同于所述虛設(shè)集成扇出型穿孔的高度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊封裝器件，其特征在于，所述有源集成扇出型穿孔的高度不同于所述虛設(shè)集成扇出型穿孔的高度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊封裝器件，其特征在于，所述有源集成扇出型穿孔的寬度實(shí)質(zhì)上相同于所述虛設(shè)集成扇出型穿孔的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊封裝器件，其特征在于，所述有源集成扇出型穿孔的寬度不同于所述虛設(shè)集成扇出型穿孔的寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊封裝器件，其特征在于，所述有源集成扇出型穿孔位于所述第一晶粒的第一側(cè)以及第二側(cè)，而所述虛設(shè)集成扇出型穿孔位于述第一晶粒的所述第一側(cè)以及所述第二側(cè)中的一側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊封裝器件，其特征在于，位于所述第一晶粒的第一側(cè)的所述有源集成扇出型穿孔的總數(shù)目為位于所述第一晶粒的第二側(cè)的所述有源集成扇出型穿孔的總數(shù)目的至少兩倍。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊封裝器件，其特征在于，所述有源集成扇出型穿孔位于所述第一晶粒的第一側(cè)，且所述虛設(shè)集成扇出型穿孔位于所述第一晶粒的第二側(cè)。
10.一種層疊封裝器件，其特征在于，包括：
第一封裝結(jié)構(gòu)，包括：
第一晶粒；
多個(gè)有源集成扇出型穿孔；
多個(gè)有源接墊，電性連接至所述有源集成扇出型穿孔；以及
多個(gè)虛設(shè)接墊，位于所述有源接墊側(cè)邊；以及
第二封裝結(jié)構(gòu)，包括：
多個(gè)有源凸塊，接合至所述有源接墊；以及
多個(gè)虛設(shè)凸塊，接合至所述虛設(shè)接墊，
其中在一橫截面上，所述多個(gè)虛設(shè)凸塊的數(shù)目相同于所述多個(gè)虛設(shè)接墊的數(shù)目，且所述多個(gè)虛設(shè)凸塊分別直接接合至所述多個(gè)虛設(shè)接墊中對(duì)應(yīng)的一個(gè)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的層疊封裝器件，其特征在于，位于所述第一晶粒的第一側(cè)的所述有源接墊以及所述虛設(shè)接墊的總數(shù)目實(shí)質(zhì)上相同于位于所述第一晶粒的第二側(cè)的所述有源接墊以及所述虛設(shè)接墊的總數(shù)目。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的層疊封裝器件，其特征在于，位于所述第一晶粒的第一側(cè)的所述有源接墊以及所述虛設(shè)接墊的分布實(shí)質(zhì)上對(duì)稱于位于所述第一晶粒的第二側(cè)的所述有源接墊以及所述虛設(shè)接墊的分布。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的層疊封裝器件，其特征在于，所述有源接墊位于所述第一晶粒的第一側(cè)以及第二側(cè)。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的層疊封裝器件，其特征在于，所述有源接墊位于所述第一晶粒的第一側(cè)以及第二側(cè)中的另一側(cè)。
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