本發明包括：支撐部，在上面可安裝處理物；腔室部，位于所述支撐部上，并且在下面形成處理孔，在所述處理孔與所述處理物之間提供處理空間；源噴射孔，形成在所述處理孔的內周面；源供應部，連接于所述源噴射孔以供應源；激光部，向所述處理空間可照射加工激光；及加熱部，為了提高所述加工激光照射區域的周圍溫度，加熱所述加工激光照射區域。并且，在通過化學氣象沉積方式在處理物沉積薄膜時，能夠抑制或者防止生成異物。

技術領域

本發明涉及沉積裝置及沉積方法，更詳細地說，涉及如下的沉積裝置及沉積方法：在通過氣相沉積方式在處理物沉積薄膜時，能夠抑制或防止產生異物，并且能夠防止支撐部的熱損傷，還能夠防止原料粉塵流出。

背景技術

各種顯示裝置具有形成在基板上的電子回路。對于電子回路的導電線，在正在制造回路或者在制造后可引起一部分被斷線或短路的缺陷。例如，在包括LCD(LiquidCrystal Display，液晶顯示器)、OLED(Organic L ight Emitting Display，有機發光二極管)或者LED(Light Emitting Display，發光二極管)的各種顯示裝置的制造工藝中，存在形成在基板上的各個元件的電極、線路或信號線等部分被斷線生成開放式缺陷的情況。

因此，在制造各種顯示裝置的工藝中，實施修復開放式缺陷修復工藝。修復工藝由化學氣象沉積方式的修復裝置實施，并由如下的方式實施：將基板缺陷位置溫度提高至固定溫度之后，對缺陷位置供應氣體狀態的金屬源的同時形成金屬源環境，并且將激光照射于缺陷位置來沉積薄膜。

另一方面，若金屬源被過多供應于基板的缺陷位置、金屬源接觸于基板的缺陷位置的同時被冷卻，或者在金屬源在源供應管的內部中搬運時溫度被降低，則在沉積薄膜時可在基板缺陷位置周圍產生異物。這種異物可降低顯示裝置的品質及性能。

(現有技術文獻)

(專利文獻)

(專利文獻1)KR2013-0088628A

發明內容

(要解決的問題)

本發明提供能夠提高照射加工激光的區域的周邊溫度的沉積裝置及沉積方法。

本發明提供能夠抑制或防止源氣體的溫度下降的沉積裝置及沉積方法。

本發明提供能夠抑制或防止在處理物沉積薄膜時產生異物的沉積裝置及沉積方法。

本發明提供能夠抑制或防止支撐部熱損傷的沉積裝置及沉積方法。

(解決問題的手段)

根據本發明實施形態的沉積裝置包括：支撐部，在上面可安裝處理物；腔室部，位于所述支撐部上，并且在下面形成處理孔，在所述處理孔與所述處理物之間提供處理空間；源噴射孔，形成在所述處理孔的內周面；源供應部，連接于所述源噴射孔以供應源；激光部，向所述處理空間可照射加工激光；及加熱部，為了提高所述加工激光照射區域的周圍溫度，加熱所述加工激光照射區域。

所述源噴射孔可形成在所述處理孔內周面的三個位置。

所述處理孔可在下部形成以高度方向的內徑相同的直動部，所述源噴射孔可形成在所述直動部。

在所述處理孔的下側端部可隔離所述源噴射孔。

在所述處理孔的下側端部可隔離所述源噴射孔0.5㎜至2㎜。

所述源噴射孔為，向所述處理孔的下側端部的中心部傾斜形成，并且可旋轉對稱于所述處理孔的下側端部的中心部。

所述源噴射孔可傾斜形成，對于以高度方向交叉所述處理孔的下側端部的中心軸構成60°至70°。

在所述處理孔的下側端部的內徑為1時，所述源噴射孔的內徑可以是0.1至0.6。