[發明專利]反應腔室有效
| 申請號: | 201610545524.8 | 申請日: | 2016-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN107611054B | 公開(公告)日: | 2020-02-14 |
| 發明(設計)人: | 張偉濤 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 11112 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反應 | ||
本發明提供一種反應腔室,包括傳片口、基座、壓環、內門和壓環升降機構,其中,傳片口設置在反應腔室的側壁上,基座設置在反應腔室內,用以承載晶片;壓環用于通過壓住晶片將其固定在基座上。壓環升降機構用于驅動壓環上升至與基座相分離的第一位置或者下降至壓住晶片的第二位置。內門與壓環連接,且內門在壓環位于第一位置時,不遮擋傳片口;在壓環位于第二位置時,遮擋傳片口。本發明提供的反應腔室,其可以解決設備結構復雜、制造成本高、腔室泄漏風險高以及因副產物顆粒積累造成內門運動故障的問題。
技術領域
本發明涉及半導體制造領域,具體地,涉及一種反應腔室。
背景技術
在LED刻蝕機工藝中,為了實現等離子體的約束,通常要將反應腔室內位于托盤周邊的空間設計成基本對稱的封閉空間,如圖1所示,為現有的一種反應腔室的剖視圖。該反應腔室包括襯環2、傳片口3、基座7和壓環8。其中,傳片口3設置在反應腔室的腔室側壁1上,用以供機械手傳入或傳出晶片6。基座7用于承載晶片6;壓環8用于通過壓住晶片6而將其固定在基座7上。襯環3環繞設置在腔室側壁1的內側,且在該襯環3與傳片口3相對的一側設置有通孔,用以供晶片6通過。該襯環3的內壁與反應腔室的頂壁以及基座7的上表面共同構成可約束等離子體的基本對稱的封閉空間。
而且,由于襯環3上的通孔會影響到約束等離子體的封閉空間的對稱性和封閉性,在腔室側壁1和襯環3之間還設置有內門4,該內門4在驅動機構5的驅動下,上升至遮擋傳片口3的位置,以保證約束等離子體的封閉空間的對稱性和封閉性,或者下降至不遮擋傳片口3的位置,以避免干擾機械手的傳片。
上述反應腔室在實際應用中不可避免地存在以下問題:
其一,由于需要單設驅動機構5驅動內門4作升降運動,該驅動機構5包含諸如升降氣缸、位置傳感器、真空波紋管等的數十件零件子項,導致設備的結構復雜,對裝配要求較高,而且導致設備的制造成本較高。
其二,由于驅動機構5設置在反應腔室的外部,還需要設置密封裝置確保腔室的真空密封性,這不僅導致設備的制造成本較高,而且密封裝置的設定還會增加腔室泄漏的風險,以及腔室漏點檢測的難度。
其三,用于連接內門4和驅動機構5的支撐桿與腔室配合孔之間的間隙處會積存大量副產物顆粒,長期積累會影響內門4的升降運動,容易產生支撐桿卡死等的內門運動故障。
發明內容
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一,提出了一種反應腔室,其可以解決設備結構復雜、制造成本高、腔室泄漏風險高以及因副產物顆粒積累造成內門運動故障的問題。
為實現本發明的目的而提供一種反應腔室,包括傳片口、基座和壓環,所述傳片口設置在所述反應腔室的側壁上,所述基座設置在所述反應腔室內,用以承載晶片;所述壓環用于通過壓住所述晶片的邊緣將其固定在所述基座上,還包括內門和壓環升降機構,其中,所述壓環升降機構用于驅動所述壓環上升至與所述基座相分離的第一位置或者下降至壓住所述晶片的第二位置;所述內門與所述壓環連接,且所述內門在所述壓環位于所述第一位置時,不遮擋所述傳片口;在所述壓環位于所述第二位置時,遮擋所述傳片口。
優選的,還包括連桿,所述連桿的一端與所述壓環連接;所述連桿的另一端與所述內門連接。
優選的,所述壓環與所述連桿的一端通過螺釘可拆卸的連接。
優選的,所述壓環與所述連桿的一端采用焊接或者一體成型的方式固定連接。
優選的,所述內門與所述連桿的另一端通過螺釘可拆卸的連接。
優選的,所述內門與所述連桿的另一端采用焊接或者一體成型的方式固定連接。
優選的,所述內門與所述傳片口相對的表面面積大于所述傳片口的開口面積。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京北方華創微電子裝備有限公司,未經北京北方華創微電子裝備有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/201610545524.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





