[發(fā)明專利]反應(yīng)腔室有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610545524.8 | 申請(qǐng)日： | 2016-07-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107611054B | 公開（公告）日： | 2020-02-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張偉濤 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/67 | 分類號(hào)： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址： | 100176 北*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
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1.一種反應(yīng)腔室，包括傳片口、基座和壓環(huán)，所述傳片口設(shè)置在所述反應(yīng)腔室的側(cè)壁上，所述基座設(shè)置在所述反應(yīng)腔室內(nèi)，用以承載晶片；所述壓環(huán)用于通過壓住所述晶片的邊緣將其固定在所述基座上，其特征在于，還包括內(nèi)門和壓環(huán)升降機(jī)構(gòu)，其中，
所述壓環(huán)升降機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)所述壓環(huán)上升至與所述基座相分離的第一位置或者下降至壓住所述晶片的第二位置；
所述內(nèi)門與所述壓環(huán)連接，且所述內(nèi)門在所述壓環(huán)位于所述第一位置時(shí)，不遮擋所述傳片口；在所述壓環(huán)位于所述第二位置時(shí)，遮擋所述傳片口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，還包括連桿，所述連桿的一端與所述壓環(huán)連接；所述連桿的另一端與所述內(nèi)門連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述壓環(huán)與所述連桿的一端通過螺釘可拆卸的連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述壓環(huán)與所述連桿的一端采用焊接或者一體成型的方式固定連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述內(nèi)門與所述連桿的另一端通過螺釘可拆卸的連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述內(nèi)門與所述連桿的另一端采用焊接或者一體成型的方式固定連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述內(nèi)門與所述傳片口相對(duì)的表面面積大于所述傳片口的開口面積。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述壓環(huán)升降機(jī)構(gòu)包括傳動(dòng)軸和驅(qū)動(dòng)源，其中，
所述傳動(dòng)軸的數(shù)量為至少兩個(gè)，且沿所述壓環(huán)的周向?qū)ΨQ分布；每個(gè)所述傳動(dòng)軸豎直設(shè)置，且所述傳動(dòng)軸的上端與所述壓環(huán)連接，所述傳動(dòng)軸的下端豎直向下依次貫穿所述基座和所述反應(yīng)腔室的底部腔室壁延伸至所述反應(yīng)腔室的下方，并與所述驅(qū)動(dòng)源連接；
所述驅(qū)動(dòng)源用于驅(qū)動(dòng)所述至少兩個(gè)傳動(dòng)軸同步作升降運(yùn)動(dòng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)源包括升降電機(jī)、升降氣缸或者升降液壓缸。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，還包括襯環(huán)，所述襯環(huán)環(huán)繞設(shè)置在所述反應(yīng)腔室的側(cè)壁內(nèi)側(cè)，且位于所述內(nèi)門的外側(cè)；并且，在所述襯環(huán)上設(shè)置有通孔，所述通孔與所述傳片口相對(duì)，且所述通孔的橫截面積不小于所述傳片口的開口面積。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
