[發明專利]像素驅動電路、像素結構及像素驅動方法有效
| 申請號: | 201610311555.7 | 申請日: | 2016-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN105741743B | 公開(公告)日: | 2019-01-04 |
| 發明(設計)人: | 錢先銳 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/20 | 分類號: | G09G3/20 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;黃燦 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 驅動 電路 結構 方法 | ||
本發明公開了一種像素驅動電路、像素結構及像素驅動方法。該像素驅動電路包括:驅動晶體管M2;電容結構C;與所述驅動晶體管M2并聯的補償晶體管M4,柵極與所述電容結構C的第一端連接;電壓寫入電路,用于在寫入階段將數據信號的數據電壓和所述補償晶體管M4的閾值電壓寫入到所述電容結構C的第一端;在發光階段,第一通道和第二通道同時導通;所述第一通道為:所述第一電源信號輸入端子VDD和第二電源信號輸入端子VSS之間經過所述驅動晶體管M2的通道;所述第二通道為:所述第一電源信號輸入端子VDD和第二電源信號輸入端子VSS之間經過所述補償晶體管M4的通道。所述第一通道中僅設置有一個晶體管。本發明改善了顯示均勻性。
技術領域
本發明涉及像素驅動技術領域,特別是一種能夠改善顯示不均勻現象的像素驅動電路、像素結構及像素驅動方法。
背景技術
在如圖1所示的傳統的由電流或電壓驅動的像素結構中,數據信號輸入驅動晶體管的柵極的同時對電容結構(C)進行充電,之后利用存儲在電容結構(C)中的電量來控制驅動晶體管的導通程度,實現對發光器件的電流的控制。在發光階段,流過發光器件的電流的電流強度為:0.5μ*Cox*W/L*(Vgs-Vth)2,其中:μ為載流子遷移率,Cox為驅動晶體管的等效電容,W/L為驅動晶體管的寬長比,Vgs為發光階段驅動晶體管的柵源電壓差,Vth為驅動晶體管的閾值電壓。
然而驅動晶體管的Vth并不是固定不變的,其隨著工作時間會發生漂移,導致顯示器件出現顯示不均勻現象,即:在相同的數據信號的驅動下,不同的像素單元會呈現出不同的亮度。
為了避免上述顯示不均勻現象的發生,針對驅動晶體管閾值電壓的漂移,現有技術中已有各種補償方案。各種補償方案無一例外的都是通過將閾值電壓和數據電壓寫入到電容,因此在發光階段由電容維持的驅動晶體管的柵極的電壓中會包括驅動晶體管的閾值電壓,使得最終流過發光器件的電流的電流強度與閾值電壓無關。
但現有的具備閾值補償的驅動電路中,如圖2所示,無一例外的都包括位于第一電源信號輸入端子VDD和第二電源信號輸入端子VSS之間,與驅動晶體管M2串聯的一個導通控制管T1。在電容結構(C)通過圖2中箭頭所示的方向放電,將閾值電壓寫入到電容結構(C)時,T1是關斷的,以防止第一電源信號輸入到電容結構(C)為電容結構(C)充電。而在發光階段,T1需要導通。
如圖2所示,T1是串聯在VDD到VSS之間的通路中,其電性能參數(包括閾值電壓等)的改變必然會改變VDD-T1-M2-發光器件-VSS這條通道上的電流,而現有技術并沒有對T1的閾值電壓漂移進行補償,在其他參數不變的情況下,T1的閾值電壓漂移毫無疑問會影響到通路的電流。因此現有技術的具備對驅動晶體管的閾值電壓進行補償的驅動電路在顯示均勻性方面還存在改善空間。
發明內容
本發明實施例的目的在于提供一種像素驅動電路、像素結構及像素驅動方法,提高像素結構的顯示均勻特性。
為實現上述目的,本發明提供了一種像素驅動電路,用于驅動像素結構中的發光器件,所述像素驅動電路包括:
與發光器件串聯的驅動晶體管M2,第一極與第一電源信號輸入端子VDD連接,第二極與第二電源信號輸入端子VSS連接;
電容結構C,第一端和驅動晶體管M2的柵極連接;
所述像素驅動電路還包括:
與所述驅動晶體管M2并聯的補償晶體管M4,第一極與第一電源信號輸入端子VDD連接,第二極與第二電源信號輸入端子VSS連接,柵極與所述電容結構C的第一端連接;
電壓寫入電路,用于在寫入階段將數據信號的數據電壓和所述補償晶體管M4的閾值電壓寫入到所述電容結構C的第一端;
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