[發明專利]像素驅動電路、像素結構及像素驅動方法有效
| 申請號： | 201610311555.7 | 申請日： | 2016-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN105741743B | 公開（公告）日： | 2019-01-04 |
| 發明（設計）人： | 錢先銳 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G09G3/20 | 分類號： | G09G3/20 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;黃燦 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 像素 驅動 電路 結構 方法 | ||
1.一種像素驅動電路，用于驅動像素結構中的發光器件，所述像素驅動電路包括：
與發光器件串聯的驅動晶體管(M2)，第一極與第一電源信號輸入端子(VDD)連接，第二極與第二電源信號輸入端子(VSS)連接；
電容結構(C)，第一端和驅動晶體管(M2)的柵極連接；
其特征在于，所述像素驅動電路還包括：
與所述驅動晶體管(M2)并聯的補償晶體管(M4)，第一極與第一電源信號輸入端子(VDD)連接，第二極與第二電源信號輸入端子(VSS)連接，柵極與所述電容結構(C)的第一端連接；
電壓寫入電路，用于在寫入階段將數據信號的數據電壓和所述補償晶體管(M4)的閾值電壓寫入到所述電容結構(C)的第一端；
在發光階段，第一通道和第二通道同時導通；
所述第一通道為：所述第一電源信號輸入端子(VDD)和第二電源信號輸入端子(VSS)之間經過所述驅動晶體管(M2)的通道；
所述第二通道為：所述第一電源信號輸入端子(VDD)和第二電源信號輸入端子(VSS)之間經過所述補償晶體管(M4)的通道；
所述第一通道中僅設置有一個晶體管；
所述電壓寫入電路具體用于：
在放電寫入階段，控制所述電容結構(C)通過所述補償晶體管(M4)進行放電，使得所述電容結構(C)第一端的電壓值等于所述補償晶體管(M4)的閾值電壓；
在充電寫入階段，利用所述數據信號對所述電容結構(C)進行充電，使得所述電容結構(C)第一端的電壓值為所述數據信號的電壓值和所述補償晶體管(M4)的閾值電壓的和值。
2.根據權利要求1所述的像素驅動電路，其特征在于，所述電壓寫入電路還用于在放電寫入階段之前的預充電階段，對所述電容結構(C)進行預充電，使得所述電容結構(C)第一端的電壓值大于所述補償晶體管(M4)的閾值電壓。
3.根據權利要求2所述的像素驅動電路，其特征在于，所述電壓寫入電路在預充電階段，具體用于利用所述數據信號或所述第一電源信號對所述電容結構進行充電。
4.根據權利要求3所述的像素驅動電路，其特征在于，所述電壓寫入電路具體包括：
在所述寫入階段導通，在所述發光階段關斷的掃描晶體管(M1)，第一極與所述數據信號輸入端子(Data)連接；
在預充電階段、放電寫入階段和發光階段關斷，在充電寫入階段導通的第一寫入控制晶體管(M5)，第一極與所述掃描晶體管(M1)的第二極連接，第二極與所述電容結構(C)的第二端連接；
在預充電階段和放電寫入階段導通，在充電寫入階段和發光階段關斷的第二寫入控制晶體管(M8)，第一極與所述第一寫入控制晶體管(M5)的第二極連接，第二極與第二電源輸入端子(VSS)連接；
在預充電階段導通，在放電寫入階段、充電寫入階段和發光階段關斷的第三寫入控制晶體管(M7)，第一極與所述第一寫入控制晶體管(M5)的第一極連接，第二極與所述電容結構(C)的第一端連接；
在預充電階段和放電寫入階段導通，在充電寫入階段和發光階段關斷的第四寫入控制晶體管(M6)，第一極與所述電容結構(C)的第一端連接，第二極與所述補償晶體管(M4)的第一極連接。
5.根據權利要求1-4中任意一項所述的像素驅動電路，其特征在于，所述像素驅動電路還包括：
在所述寫入階段關斷，在所述發光階段導通的工作時間控制晶體管(M3)，第一極與所述第一電源信號輸入端子(VDD)連接，第二極與所述補償晶體管(M4)的第一極連接。
6.一種像素結構，包括發光器件，其特征在于，還包括如權利要求1-5中任意一項所述的像素驅動電路。
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