[發(fā)明專利]一種LTCC基板的交錯(cuò)層疊三維封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610293391.X | 申請日: | 2016-05-06 |
| 公開(公告)號: | CN105762117B | 公開(公告)日: | 2018-10-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鐘偉;黃祥;黃學(xué)驕;王平;凌源;曾榮;龍雙;惠力 | 申請(專利權(quán))人: | 中國工程物理研究院電子工程研究所 |
| 主分類號: | H01L23/15 | 分類號: | H01L23/15;H01L23/48;H01L25/00 |
| 代理公司: | 成都天嘉專利事務(wù)所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 蔣斯琪 |
| 地址: | 621900 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 ltcc 交錯(cuò) 層疊 三維 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
本發(fā)明提供了一種LTCC基板的交錯(cuò)層疊三維封裝結(jié)構(gòu),包括底層LTCC基板、中間層LTCC基板和頂層LTCC基板,中間層LTCC基板包括至少兩層,每層LTCC基板上均設(shè)置有芯片腔槽,LTCC基板呈階梯型上下層交錯(cuò)設(shè)置,底層、中間層和頂層LTCC基板之間通過金絲或金帶實(shí)現(xiàn)電連接,通過導(dǎo)電膠粘貼實(shí)現(xiàn)力學(xué)支撐及共地連接;本發(fā)明采用多塊傳統(tǒng)的LTCC基板交錯(cuò)層疊實(shí)現(xiàn)三維封裝結(jié)構(gòu),每層錯(cuò)位電連接區(qū)通過相鄰層錯(cuò)開的方式,空出部分區(qū)域可放置尺寸較大附屬器件;使用常規(guī)的LTCC基板加工技術(shù)、金絲金帶鍵合技術(shù)和導(dǎo)電膠粘接技術(shù)即可實(shí)現(xiàn),工藝簡單,且具有機(jī)械強(qiáng)度高、相鄰層接觸面積大、電路體積小等特點(diǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于微波或毫米波電路與系統(tǒng)的小型化封裝技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種LTCC基板的交錯(cuò)層疊三維封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
微波微組裝技術(shù)(MMCM)是實(shí)現(xiàn)雷達(dá)和通信等電子整機(jī)小型化、輕量化、高性能和高可靠的關(guān)鍵技術(shù),LTCC(低溫共燒陶瓷)基板由于微波信號傳輸性能好、可實(shí)現(xiàn)無源器件的基板內(nèi)埋置,因此基于LTCC基板和微組裝的技術(shù)是實(shí)現(xiàn)微波模塊和系統(tǒng)小型化的重要途徑。為了進(jìn)一步減小體積,提高組裝密度,三維封裝的微組裝技術(shù)(3D-MMCM)成為國內(nèi)外研究和應(yīng)用的熱點(diǎn)。
目前,3D-MMCM的主要實(shí)現(xiàn)方式有兩類:插裝型和基板疊層型。
插裝型3D-MMCM先把芯片焊接到基板上形成2D-MMCM模塊,再把多個(gè)2D-MMCM模塊垂直插裝在一塊公共基板上,形成一個(gè)子系統(tǒng)或系統(tǒng)。然而插裝型具有對組裝工藝要求高、垂直微帶線和水平微帶線不易焊接、封裝體積較大等缺點(diǎn)。
基板疊層式3D-MMCM即先把多種芯片焊接到基板上形成2D-MMCM模塊,再把多個(gè)2D-MMCM模塊疊壓在一起,形成一個(gè)子系統(tǒng)或系統(tǒng)。通常的上下層基板間采用焊球的方式實(shí)現(xiàn)機(jī)械和電氣連接,然而該種方式具有工藝復(fù)雜、焊球?qū)ξ痪纫蟾摺⑶液盖蜻B接的機(jī)械強(qiáng)度低、且各層之間不能實(shí)現(xiàn)完全電磁分隔等缺點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述現(xiàn)有插裝型和基板疊層型存在的組裝工藝復(fù)雜的缺陷,本發(fā)明提供了一種LTCC基板的交錯(cuò)層疊三維封裝結(jié)構(gòu),該封裝結(jié)構(gòu)組裝工藝簡單,而且對位精度要求低,機(jī)械強(qiáng)度高。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種LTCC基板的交錯(cuò)層疊三維封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:包括底層LTCC基板、中間層LTCC基板和頂層LTCC基板,中間層LTCC基板包括至少兩層LTCC基板,每層LTCC基板上均設(shè)置有可放置芯片的芯片腔槽;
所述底層LTCC基板、中間層LTCC基板呈階梯型上下層交錯(cuò)設(shè)置,各層之間實(shí)現(xiàn)良好電磁封閉;
底層LTCC基板和中間層的每層LTCC基板上均設(shè)置有輸出電連接凸臺、錯(cuò)位電連接區(qū)、輸入電連接凹槽,輸出電連接凸臺上設(shè)置有用于鍵合的凹槽,通過輸出電連接凸臺、錯(cuò)位電連接區(qū)、輸入電連接凹槽實(shí)現(xiàn)各層互聯(lián)及微波信號、控制信號的輸入輸出;頂層LTCC基板上均設(shè)置有輸出焊盤連接點(diǎn)、錯(cuò)位電連接區(qū)和輸入電連接凹槽,通過輸出焊盤連接點(diǎn)、錯(cuò)位電連接區(qū)、輸入電連接凹槽實(shí)現(xiàn)與中間層LTCC基板的互聯(lián)及微波信號、控制信號的輸入輸出,所述頂層LTCC基板的錯(cuò)位電連接區(qū)與中間層LTCC基板的相應(yīng)部位具有相同功能;
底層LTCC基板的輸出電連接凸臺通過金絲或金帶與中間層最底層的LTCC基板的輸入電連接凹槽實(shí)現(xiàn)電連接;
中間層相鄰的兩層LTCC基板通過金絲或金帶互聯(lián),金絲或金帶位于輸入電連接凹槽中,與外部完全封閉,電磁屏蔽良好;
中間層最頂層的LTCC基板的輸出電連接凸臺通過金絲或金帶與頂層LTCC基板的輸入電連接凹槽實(shí)現(xiàn)電連接。
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