[發明專利]一種QLED封裝結構以及QLED的封裝方法在審
| 申請號： | 201610242600.8 | 申請日： | 2016-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN105742431A | 公開（公告）日： | 2016-07-06 |
| 發明（設計）人： | 王宇;曹蔚然;楊一行;錢磊 | 申請（專利權）人： | TCL集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/48;H01L33/56 |
| 代理公司： | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人： | 張全文 |
| 地址： | 516006 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 qled 封裝 結構 以及 方法 | ||
1.一種QLED封裝結構，所述QLED封裝結構包括QLED，所述QLED包括依次層疊設置的底電極、發光功能層和頂電極，其特征在于，所述頂電極上設置有由聚合物材料制成的封裝層，所述聚合物材料包括PMMA、PVC中的至少一種，且所述封裝層露出部分所述頂電極。
2.如權利要求1所述的QLED封裝結構，其特征在于，所述封裝層為納米尺寸的封裝層。
3.一種QLED的封裝方法，包括以下步驟：
提供QLED并配置聚合物溶液，其中，所述QLED包括依次層疊設置的底電極、發光功能層和頂電極，所述聚合物溶液采用聚合物材料溶解在有機溶劑中形成，且聚合物材料包括PMMA、PVC中的至少一種；
采用所述聚合物溶液在所述頂電極上制備封裝層，且使得所述封裝層露出部分所述頂電極。
4.如權利要求3所述的QLED的封裝方法，其特征在于，所述聚合物溶液中所述聚合物材料的濃度為1-100mg/mL。
5.如權利要求3所述的QLED的封裝方法，其特征在于，所述有機溶劑為丙酮、四氫呋喃、甲苯、氯仿、乙醇中的至少一種。
6.如權利要求3-5任一所述的QLED的封裝方法，其特征在于，制備所述封裝層的方法包括旋涂、滴涂、浸蘸。
7.如權利要求3-5任一所述的QLED的封裝方法，其特征在于，將所述聚合物溶液旋涂在所述頂電極上制備封裝層，且所述旋涂的轉速為100-6000rpm。
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