[發明專利]帶有第一和第二場電極結構的半導體裝置有效
| 申請號： | 201610122679.0 | 申請日： | 2016-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN105938847B | 公開（公告）日： | 2019-11-05 |
| 發明（設計）人： | F.希爾勒;M.H.菲勒邁爾 | 申請（專利權）人： | 英飛凌科技奧地利有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/40 | 分類號： | H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠偉進;杜荔南 |
| 地址： | 奧地利*** | 國省代碼： | 奧地利;AT |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 帶有 第一 第二 電極 結構 半導體 裝置 | ||
【說明書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于英飛凌科技奧地利有限公司，未經英飛凌科技奧地利有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.17sss.com.cn/pat/books/201610122679.0/2.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：LED支架和LED封裝結構
- 下一篇：半導體封裝組合結構
- 同類專利
- 專利分類
