[發明專利]帶有第一和第二場電極結構的半導體裝置有效
| 申請號： | 201610122679.0 | 申請日： | 2016-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN105938847B | 公開（公告）日： | 2019-11-05 |
| 發明（設計）人： | F.希爾勒;M.H.菲勒邁爾 | 申請（專利權）人： | 英飛凌科技奧地利有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/40 | 分類號： | H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠偉進;杜荔南 |
| 地址： | 奧地利*** | 國省代碼： | 奧地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 帶有 第一 第二 電極 結構 半導體 裝置 | ||
【權利要求書】：
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