本發明公開了一種基于FinFET器件的異或/同或門電路，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管和第六FinFET管，第一FinFET管和第四FinFET管均為P型FinFET管，第二FinFET管、第三FinFET管、第五FinFET管和第六FinFET管均為N型FinFET管；第一FinFET管和第四FinFET管均為低閾值FinFET管，第二FinFET管、第三FinFET管、第五FinFET管和第六FinFET管均為高閾值FinFET管，第一FinFET管和第四FinFET管鰭的個數均為1，第二FinFET管、第三FinFET管、第五FinFET管和第六FinFET管鰭的個數均為2；優點是在具有正確的邏輯功能的基礎上，電路面積、延時、功耗和功耗延時積均較小。

技術領域

本發明涉及一種異或/同或門電路，尤其是涉及一種基于FinFET器件的異或/同或門電路。

背景技術

基本邏輯電路是數字電路中最基本的邏輯電路，異或/同或門電路是基本邏輯電路不可缺少的一部分。差分級聯電壓開關邏輯的雙軌邏輯提供差分輸出，但傳統電壓開關邏輯還是面臨晶體管數量多，功耗大和設計復雜的問題。隨著VISL技術的不斷進步，數字系統的運行速度和功耗要求不斷提高，對基本邏輯單元的性能的要求也更加苛刻，要求基本邏輯單元應該具有低功耗和短延時。

隨著晶體管尺寸的不斷縮小，受短溝道效應和當前制造工藝的限制，普通的CMOS晶體管尺寸降低的空間極度縮小。當普通CMOS晶體管的尺寸縮小到20nm以下時，器件的漏電流會急劇加大，造成較大的電路漏功耗。并且，電路短溝道效應變得更加明顯，器件變得相當不穩定，極大的限制了電路性能的提高。FinFET管(鰭式場效晶體管，Fin Field-Effect Transistor)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管為一種新型的3D晶體管，FinFET管的溝道采用零摻雜或是低摻雜，溝道被柵三面包圍。這種特殊的三維立體結構，增強了柵對溝道的控制力度，極大的抑制了短溝道效應，抑制了器件的漏電流。FinFET管具有功耗低，面積小的優點，逐漸成為接替普通CMOS器件，延續摩爾定律的優良器件之一。

鑒此，設計一種具有正確的邏輯功能的基礎上，電路面積、延時、功耗和功耗延時積均較小的基于FinFET器件的異或/同或門電路具有重要意義。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種具有正確的邏輯功能的基礎上，電路面積、延時、功耗和功耗延時積均較小的基于FinFET器件的異或/同或門電路。

本發明解決上述技術問題所采用的技術方案為：一種基于FinFET器件的異或/同或門電路，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管和第六FinFET管，所述的第一FinFET管和所述的第四FinFET管均為P型FinFET管，所述的第二FinFET管、所述的第三FinFET管、所述的第五FinFET管和所述的第六FinFET管均為N型FinFET管；所述的第一FinFET管和所述的第四FinFET管均為低閾值FinFET管，所述的第二FinFET管、所述的第三FinFET管、所述的第五FinFET管和所述的第六FinFET管均為高閾值FinFET管，所述的第一FinFET管和所述的第四FinFET管鰭的個數均為1，所述的第二FinFET管、所述的第三FinFET管、所述的第五FinFET管和所述的第六FinFET管鰭的個數均為2；