[實用新型]一種金屬掩膜板有效
| 申請號： | 201521092001.X | 申請日： | 2015-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN205301807U | 公開（公告）日： | 2016-06-08 |
| 發明（設計）人： | 楊樂;劉挺;岳玲;周宏偉;徐西昌 | 申請（專利權）人： | 西安龍騰新能源科技發展有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/38 | 分類號： | G03F1/38 |
| 代理公司： | 西安新思維專利商標事務所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710021 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬 掩膜板 | ||
【權利要求書】：
1.一種金屬掩膜板，其特征在于，該金屬掩膜板的柵源圖形識別標志區域設置有用于識別GATE極性和SOURCE極性的圖形。
2.根據權利要求1所述的金屬掩膜板，其特征在于：所述圖形為矩形或者圓形。
3.根據權利要求1或2所述的金屬掩膜板，其特征在于：所述圖形位于柵源圖形識別標志區域的三個端點。
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G03 攝影術；電影術；利用了光波以外其他波的類似技術；電記錄術；全息攝影術
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
