1.一種射頻芯片及其無源器件的封裝結構，其特征在于：包括塑封體(4)以及RDL再布線層(5)，所述RDL再布線層(5)設置在塑封體(4)的表面，射頻芯片(1)及無源器件(2)塑封在塑封體(4)內。

2.如權利要求1所述的一種射頻芯片及其無源器件的封裝結構，其特征在于：所述RDL再布線層(5)由高分子聚合物(52)和金屬化層(54)所構成，高分子聚合物(52)覆蓋在整個塑封體(4)的表面，金屬化層(54)被包裹在高分子聚合物(52)內，金屬化層(54)連接射頻芯片(1)及無源器件(2)的端口和外部電路。

3.如權利要求2所述的一種射頻芯片及其無源器件的封裝結構，其特征在于：金屬化層(54)包含金屬化圖層(542)、金屬化通孔(544)，以及BGA焊盤(546)，金屬化圖層(542)之間采用金屬化通孔(544)進行連接，距離射頻芯片(1)最近的金屬化圖層(542)通過金屬化通孔(544)連接射頻芯片(1)的端口，該距離射頻芯片(1)最近的金屬化圖層(542)同時通過金屬化通孔(544)連接到其他無源器件(2)的端口，距離高分子聚合物(52)外表面最近的金屬化圖層(542)通過金屬化通孔(544)連接BGA焊盤(546)，BGA焊盤(546)分布在RDL再布線層(5)的表層，所述BGA焊盤(546)與外圍電路通過BGA焊球互連。

4.如權利要求3所述的一種射頻芯片及其無源器件的封裝結構，其特征在于：所述金屬化圖層(542)為2～3層。

5.如權利要求3所述的一種射頻芯片及其無源器件的封裝結構，其特征在于：每層金屬化圖層(542)厚度為5～8μm。

6.如權利要求3所述的一種射頻芯片及其無源器件的封裝結構，其特征在于：所述金屬化通孔(544)高度為10～15μm。

7.如權利要求2所述的一種射頻芯片及其無源器件的封裝結構，其特征在于：射頻芯片(1)的中間連接射頻信號線(8)，射頻芯片(1)的兩端連接接地面(9)。

8.如權利要求7所述的一種射頻芯片及其無源器件的封裝結構，其特征在于：射頻信號線(8)的外端連接射頻焊盤(80)，接地面(9)的外端連接接地焊盤(90)，射頻信號線(8)和射頻焊盤(80)構成一組金屬化層，接地面(9)和接地焊盤(90)構成一組金屬化層。

9.如權利要求8所述的一種射頻芯片及其無源器件的封裝結構，其特征在于：射頻焊盤(80)外有射頻焊球(82)，接地面(9)外有接地焊球(92)。

10.如權利要求7所述的一種射頻芯片及其無源器件的封裝結構，其特征在于：射頻芯片(1)之間或射頻芯片(1)與無源器件(1’)之間通過射頻信號線(8)與接地面(9)進行互連。