技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及離子束濺射鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種離子源維護(hù)裝置。

背景技術(shù)

目前，離子束濺射鍍膜設(shè)備所用的離子源是直接連接在真空腔體上的。通常用于鍍膜使用的離子源需要定期維護(hù)，分為清洗石英腔(射頻離子源)和更換電阻絲(直流離子源)。目前的維護(hù)方法是打開整個(gè)真空腔體，在將整個(gè)真空室暴露大氣的條件下進(jìn)行離子源的維護(hù)。由于離子源與真空腔體的連接是通過法蘭固定連接或者通過真空波紋管進(jìn)行連接，打開真空腔體對離子源進(jìn)行維護(hù)，將真空腔體暴露在大氣環(huán)境中會使得腔體上附著很多空氣中的水、氧等氣體分子，下次使用需要長時(shí)間的抽真空過程，不但浪費(fèi)時(shí)間，同時(shí)可能對濺射所使用的靶材造成污染，影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

另外，由于擔(dān)心射頻離子源會對真空腔體中的帶電束流的軌跡產(chǎn)生影響，故將射頻離子源固定安裝在真空腔體之外，不能調(diào)節(jié)其與濺射靶材之間的間距，影響實(shí)驗(yàn)參數(shù)的調(diào)節(jié)和設(shè)備使用的靈活性。

實(shí)用新型內(nèi)容

鑒于上述問題，本實(shí)用新型提供一種離子源維護(hù)裝置，通過設(shè)置獨(dú)立的離子源維護(hù)腔，并采用小型插板閥將離子源維護(hù)腔與真空腔體分隔。離子源維護(hù)腔的后部采用真空波紋管，前部采用無縫真空管通過真空法蘭與真空腔體相連，在波紋管內(nèi)部設(shè)置有隔離保護(hù)套，隔離保護(hù)套由由外向內(nèi)依次設(shè)置的絕緣層和屏蔽層組成，用于防止射頻電源對真空腔體中的帶電束流軌跡造成影響。絕緣層材料選用聚酰亞胺等非金屬材料，屏蔽層采用銅網(wǎng)等金屬材料。真空波紋管采用推拉裝置固定在無縫真空管的一端，并控制其向前、向后的移動。無縫真空管上留有一個(gè)真空接口，用于真空泵組的連接。

本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為：

提供一種離子源維護(hù)裝置，其特征在于，基于真空腔體進(jìn)行鍍膜操作后的維護(hù)，所述離子源維護(hù)裝置包括：

無縫真空管，具有兩開口端，且一所述開口端通過真空法蘭與所述真空腔體貫通連接；

真空波紋管，可伸縮地插接于所述無縫真空管的另一所述開口端；

離子源隔離保護(hù)套，所述離子源隔離保護(hù)套內(nèi)設(shè)置有離子源，且該離子源隔離保護(hù)套設(shè)置于所述真空波紋管內(nèi)部，通過所述真空波紋管的伸縮帶動所述離子源隔離保護(hù)套以及內(nèi)部的離子源移至所述真空腔體以進(jìn)行所述鍍膜操作，或帶動所述離子源隔離保護(hù)套以及內(nèi)部的離子源移出所述真空腔體以進(jìn)行所述維護(hù)操作；并且

所述真空法蘭上設(shè)置有插板閥，用于在所述維護(hù)操作時(shí)將所述離子源設(shè)備與所述真空腔體隔離。

優(yōu)選的，上述的離子源維護(hù)裝置，其中，所述離子源隔離保護(hù)套中的離子源為射頻離子源或直流離子源。

優(yōu)選的，上述的離子源維護(hù)裝置，其中，所述離子源隔離保護(hù)套包括：

屏蔽層，包裹于所述離子源的外表面，以屏蔽所述離子源產(chǎn)生的電磁效應(yīng)；

絕緣層，包裹于所述屏蔽層的外表面，以將所述屏蔽層與所述真空波紋管隔離。

優(yōu)選的，上述的離子源維護(hù)裝置還包括：

推拉裝置，固定設(shè)置于所述真空波紋管外部且與所述無縫真空管的另一所述開口端連接，通過調(diào)節(jié)所述推拉裝置來控制所述真空波紋管的伸縮度，從而帶動所述離子源隔離保護(hù)套以及內(nèi)部的離子源移至所述真空腔體中或從所述真空腔體中移出。

優(yōu)選的，上述的離子源維護(hù)裝置，其中，所述推拉裝置為既能固定支撐又能推拉的螺絲桿、彈性可伸縮結(jié)構(gòu)或記憶合金，以支撐所述真空波紋管并控制所述真空波紋管的伸縮程度，并且

所述推拉裝置上設(shè)置有刻度，用以標(biāo)記所述真空波紋管的伸縮程度。

優(yōu)選的，上述的離子源維護(hù)裝置，其中，所述無縫真空管上設(shè)置有一真空接口，以用于抽真空或填充保護(hù)氣體。

上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果：本實(shí)用新型的離子源維護(hù)裝置，通過設(shè)置獨(dú)立的離子源維護(hù)腔，并采用小型插板閥將離子源維護(hù)腔與真空腔體分隔，在不將真空腔體暴露于大氣環(huán)境下對離子源進(jìn)行維護(hù)，避免了真空腔體的污染；并且由于離子源外側(cè)加裝了隔離保護(hù)套，使得離子源不會干擾腔體內(nèi)帶電粒子正常的運(yùn)動，并且離子源可在真空腔體內(nèi)部進(jìn)行移動，可調(diào)節(jié)靶源距離，改變束斑大小和束流空間分布，進(jìn)而調(diào)節(jié)薄膜沉積質(zhì)量和空間分布情況。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖對非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型及其特征、外形和優(yōu)點(diǎn)將會變得更加明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分。并未可以按照比例繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本實(shí)用新型的主旨。

圖1是本實(shí)用新型的離子源維護(hù)裝置的示意圖；

圖2是本實(shí)用新型的離子源維護(hù)裝置的真空波紋管及其內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式