[實(shí)用新型]多晶硅還原爐有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520176681.7 | 申請日: | 2015-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN204529320U | 公開(公告)日: | 2015-08-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姚心;汪紹芬;鄭紅梅 | 申請(專利權(quán))人: | 中國恩菲工程技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | C01B33/021 | 分類號: | C01B33/021 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋合成 |
| 地址: | 100038*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多晶 還原 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及多晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種多晶硅還原爐。
背景技術(shù)
相關(guān)技術(shù)中的多晶硅還原爐,需要設(shè)置多個進(jìn)出氣管與底盤上對應(yīng)的管路相連,由于進(jìn)出氣管的數(shù)量較多,容易與電極發(fā)生干涉,安裝和維護(hù)麻煩,且影響操作的安全性。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的上述技術(shù)問題之一。為此,本實(shí)用新型提出一種多晶硅還原爐,該多晶硅還原爐能夠避免進(jìn)出氣管過多而與電極發(fā)生干涉,從而方便安裝和維護(hù),提高操作的安全性。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,根據(jù)本實(shí)用新型提出一種多晶硅還原爐,所述多晶硅還原爐包括:底盤本體,所述底盤本體內(nèi)限定有冷卻腔,所述底盤本體上設(shè)有與多個所述冷卻腔連通的冷卻液進(jìn)管和多個冷卻液出管;多個進(jìn)氣管和多個排氣管,多個所述進(jìn)氣管和多個所述排氣管設(shè)置在所述底盤本體上,多個所述進(jìn)氣管中的一個嵌套在所述冷卻液進(jìn)管內(nèi),多個所述排氣管分別嵌套在多個所述冷卻液出管內(nèi);進(jìn)氣環(huán)管和多個進(jìn)氣支管,所述進(jìn)氣環(huán)管上設(shè)有進(jìn)氣口且設(shè)置在所述底盤本體下方,多個所述進(jìn)氣支管連接在所述進(jìn)氣環(huán)管上且分別與多個所述進(jìn)氣管連通;排氣環(huán)管和多個排氣支管,所述排氣環(huán)管上設(shè)有排氣口且設(shè)置在所述底盤本體下方,多個所述排氣支管連接在所述排氣環(huán)管上且分別與多個所述排氣管連通;進(jìn)液管和多個出液管,所述進(jìn)液管連接在所述冷卻液進(jìn)管下方且多個所述進(jìn)氣支管中的一個嵌套在所述進(jìn)液管內(nèi),多個所述出液管分別連接在多個所述冷卻液出管下方且多個所述排氣支管分別嵌套在多個所述出液管內(nèi)。
根據(jù)本實(shí)用新型的多晶硅還原爐能夠避免進(jìn)出氣管過多而與電極發(fā)生干涉,從而方便安裝和維護(hù),提高操作的安全性。
另外,根據(jù)本實(shí)用新型的多晶硅還原爐還可以具有如下附加的技術(shù)特征:
所述冷卻液進(jìn)管設(shè)置在所述底盤本體的中心處,多個所述冷卻液出管設(shè)在所述底盤本體的外周緣處。
多個所述進(jìn)氣管中位于所述底盤本體中心處的所述進(jìn)氣管嵌套在所述冷卻液進(jìn)管內(nèi)。
位于所述底盤本體中心處的所述進(jìn)氣支管嵌套在所述進(jìn)液管內(nèi)。
嵌套在一起的所述進(jìn)氣支管和所述進(jìn)液管之間設(shè)有膨脹節(jié)。
嵌套在一起的所述排氣支管和所述出液管之間設(shè)有膨脹節(jié)。
附圖說明
圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件的軸向剖視圖。
圖2是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件的徑向剖視圖。
圖3是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的多晶硅還原爐的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的多晶硅還原爐的局部結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的多晶硅還原爐的噴嘴的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖標(biāo)記:用于多晶硅還原爐的底盤組件?10、底盤本體?100、螺旋流道?110、進(jìn)氣腔111、冷卻液進(jìn)口?120、冷卻液出口?130、底盤法蘭?140、上底板?150、下底板?160、中隔板170、冷卻腔?180、導(dǎo)流板?190、弧形段?191、電極座?200、進(jìn)氣管?300、排氣管?400、冷卻液進(jìn)管?500、冷卻液出管?600;
多晶硅還原爐?1、爐體?20、半球形封頭?21、進(jìn)水管?22、出水管?23、電極?30、上觀察試鏡?41、中觀察試鏡?42、下觀察試鏡?43、噴嘴?50、基座?51、導(dǎo)向桿?52、止擋臺?53、支腿?54、引流轉(zhuǎn)子?55、側(cè)旋流道?56、止擋螺母?57、進(jìn)氣環(huán)管?61、進(jìn)氣口?62、進(jìn)氣支管?63、進(jìn)氣擋板?64、排氣環(huán)管?71、排氣口?72、排氣支管?73、進(jìn)液管?74、出液管?75、膨脹節(jié)?76。
具體實(shí)施方式
下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施例,所述實(shí)施例的示例在附圖中示出,其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的,旨在用于解釋本實(shí)用新型,而不能理解為對本實(shí)用新型的限制。
下面參考附圖描述根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件10。
如圖1和圖2所示,根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件10包括底盤本體100、多個電極座200、多個進(jìn)氣管300和多個排氣管400。
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