[發明專利]間接水冷行星傳動工作臺在審
| 申請號: | 201510763932.6 | 申請日: | 2015-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN105428276A | 公開(公告)日: | 2016-03-23 |
| 發明(設計)人: | 陳慶廣;陳特超;佘鵬程;王志偉 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第四十八研究所 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01J37/20 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務所 43008 | 代理人: | 周長清;厲田 |
| 地址: | 410111 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 間接 水冷 行星 傳動 工作臺 | ||
技術領域
本發明主要涉及一種半導體設備中的行星傳動工件臺的水冷技術,尤其涉及一種間接水冷行星傳動工作臺。
背景技術
離子束刻蝕機是一種高真空刻蝕設備,采用物理刻蝕方式,利用專門的離子源產生離子束,經過加速的離子束對任何材料實現各向異性刻蝕,工件表面有一層掩膜材料,其上有已經光刻好的圖形,工件上要去除部分掩膜材料已去除,離子束將未被掩膜材料遮擋的部分轟擊掉,主要用于對金(Au)、鉑(Pt)、NiCr合金、銅(Cu)等金屬薄膜進行干法刻蝕。
在離子束在對基片進行刻蝕過程中,基片臺的溫度升高,溫度變化對刻蝕的均勻性會產生影響,為了提高離子束刻蝕的均勻性,須對基片臺進行水冷;刻蝕工藝必須在真空腔體內進行,現有技術對行星傳動的工件臺水冷采用旋轉密封(利用行星軸通水水冷),共四根軸需要旋轉密封,加大了旋轉電機的負載,長時間運行工件臺的可靠性受到一定的限制。目前,國內離子束刻蝕機的刻蝕均勻性為:片內±5%,片間±3%。
發明內容
本發明要解決的技術問題是克服現有技術的不足,提供一種結構簡單緊湊、成本低廉、穩定性和可靠性高、可改善刻蝕均勻性的間接水冷行星傳動工作臺。
為解決上述技術問題,本發明采用以下技術方案:
一種間接水冷行星傳動工作臺,包括驅動組件、傳動組件和行星轉動座,所述行星轉動座上周向裝設有多根行星軸,各行星軸上均裝設有基片臺,所述行星轉動座上裝設有通水軸,所述通水軸開設有通水腔,所述通水腔內插設有延伸至真空腔外部的進水管,所述通水軸連接有與通水腔相通并延伸至真空腔外部的出水管,所述行星轉動座于各基片臺位置開設與進水管和出水管相通的水道。
作為上述技術方案的進一步改進:
所述行星轉動座的各水道相互連通。
所述通水腔與進水管之間設有出水間隙,所述出水間隙與水道的出水端相連,所述進水管與水道的進水端相連。
所述通水軸裝設于行星轉動座的中心位置。
所述通水軸上套裝有密封圈,所述密封圈分設于水道進出水端兩側。
所述基片臺與行星轉動座之間夾設有石墨導熱環,所述石墨導熱環套裝于行星軸上。
與現有技術相比,本發明的優點在于:
本發明的間接水冷行星傳動工作臺,行星轉動座上裝設有通水軸,通水軸開設有通水腔,通水腔內插設有延伸至真空腔外部的進水管,通水軸連接有與通水腔相通并延伸至真空腔外部的出水管,行星轉動座于各基片臺位置開設與進水管和出水管相通的水道。該結構中,傳動組件、行星轉動座、行星軸、基片臺和通水軸均位于真空腔內,通過一根通水軸使外部冷卻水經進水管流入水道,由于水道位于各基片臺位置背側,可對各基片臺實現間接水冷,水道的冷卻水實現熱交換后經出水管排出。較傳統的采用旋轉密封直接水冷而言,該結構通過一根通水軸實現了對基片臺的間接水冷,不需要在各行星軸上設置旋轉密封結構,大大降低了驅動組件的負載,提高了工作臺的穩定性、可靠性以及刻蝕均勻性,其結構簡單緊湊,成本也大大降低。
附圖說明
圖1是本發明間接水冷行星傳動工作臺的結構示意圖。
圖2是圖1的A處放大結構示意圖。
圖3是本發明間接水冷行星傳動工作臺中行星轉動座的結構示意圖。
圖中各標號表示:
1、驅動組件;2、傳動組件;3、行星轉動座;31、水道;4、行星軸;5、基片臺;6、通水軸;61、通水腔;62、出水間隙;7、進水管;8、出水管;9、密封圈;10、石墨導熱環。
具體實施方式
以下將結合說明書附圖和具體實施例對本發明做進一步詳細說明。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





