1.一種含有石墨烯過渡層的CdZnTe光電探測器，依次由導電襯底（1）、CdZnTe膜（2）和金屬電極層（4）層疊形成層狀復合光電器件結構，其特征在于：所述導電襯底（1）采用摻雜氟的SnO₂導電玻璃，在CdZnTe膜（2）中的鋅摩爾百分比含量為2~20%，所述金屬電極層（4）采用Au電極，在所述CdZnTe膜（2）和所述金屬電極層（4）之間設置一層厚度為0.2-0.5mm的石墨烯過渡層（3），使CdZnTe膜（2）和金屬電極層（4）之間形成歐姆接觸界面復合結構。

2.根據權利要求1所述含有石墨烯過渡層的CdZnTe光電探測器，其特征在于：所述CdZnTe膜（2）的厚度為200-300mm。

3.根據權利要求1或2所述含有石墨烯過渡層的CdZnTe光電探測器，其特征在于：所述金屬電極層（4）的厚度為100-200nm，直徑為1.5-5mm。

4.一種含有石墨烯過渡層的CdZnTe光電探測器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

a.CdZnTe單晶升華源的準備：將純度皆為99.99%的Cd、Zn、Te同時放入石英管中，在高真空下，采用移動加熱法生長出成分分布均勻的CdZnTe單晶體，其中鋅的摩爾百分比含量為2~20%，將生長好的晶體切片作為升華源備用；

b.襯底預處理：采用摻雜氟的SnO₂導電玻璃作為襯底，將襯底用曲拉通、丙酮和乙醇分別超聲清洗5～20分鐘，洗去襯底表面的雜質與有機物，然后將其烘干后放入近空間升華反應室內；

c.CdZnTe厚膜生長過程：開機械泵將近空間升華反應室內抽真空，將近空間升華反應室內氣壓抽至5Pa以下后關閉機械泵，再將在所述步驟a中制備的升華源及經所述步驟b處理后的襯底分別加熱到500~650℃和350~400℃，在襯底上生長CdZnTe厚膜制備30~180min，然后將CdZnTe厚膜及襯底冷卻至室溫，在關機械泵后，從近空間升華反應室內取出結合CdZnTe厚膜的襯底；

d.溴甲醇腐蝕過程：配制濃度為0.1~0.5%的溴甲醇溶液，將在所述步驟c中制備的結合CdZnTe厚膜的襯底浸入溴甲醇溶液腐蝕10~60s，腐蝕后的結合CdZnTe厚膜的襯底用甲醇保存，并用氮氣吹干；

e.石墨烯過渡層的制備過程：采用多次分轉速旋涂法在經過所述步驟d處理過的CdZnTe厚膜表面上制備石墨烯過渡層，每次旋涂所用的石墨烯溶液均為50-100μL，具體為：首先在2000-3000r/min轉速下旋涂20-30s，然后在100℃的烘箱中烘干5min；接著在2000-1000r/min轉速下旋涂10-20s，然后在100℃的烘箱中烘干5min；再在500-1000r/min轉速下旋涂5-10s，100℃烘箱中烘干5min，最后將完成旋涂的石墨烯過渡層在100℃的烘箱中放置2-3h，制備得到厚度為0.2-0.5mm的石墨烯過渡層，并使石墨烯過渡層固化結合在CdZnTe厚膜表面，即在襯底之上的CdZnTe厚膜上制備出歐姆接觸的石墨烯過渡層；

f.金電極的制備過程：采用真空蒸發法制備Au電極，開啟機械泵抽反應室內和氣路真空至5Pa以下，并開啟擴散泵將反應室內抽真空至5′10^-3Pa，開始對Au蒸發源烘烤蒸發，待Au全部融化后，在掩膜板的作用下在所述步驟e中制備的石墨烯過渡層表面上制備出金電極，使CdZnTe厚膜和金電極之間形成歐姆接觸界面復合結構，從而制成含有石墨烯過渡層的CdZnTe光電探測器。

5.根據權利要求4所述含有石墨烯過渡層的CdZnTe光電探測器的制備方法，其特征在于：在所述步驟c中，控制制備所述CdZnTe厚膜的厚度為200-300mm。

6.根據權利要求4或5所述含有石墨烯過渡層的CdZnTe光電探測器的制備方法，其特征在于：在所述步驟f中，控制制備所述金電極的厚度為100-200nm，直徑為1.5-5mm。

7.根據權利要求4或5所述含有石墨烯過渡層的CdZnTe光電探測器的制備方法，其特征在于：在所述步驟f中，在采用真空蒸發法制備Au電極時，在所述步驟e中制備的石墨烯過渡層表面放置孔洞直徑為1.5mm的圓形電極掩膜板，控制蒸發壓強為5′10^-3Pa，蒸發電流為180-220A，停留10-15s，使Au全部融化。