1.一種改善讀取特性的反熔絲單次可編程存儲單元，包括：

反熔絲單元，設置于一基底上，該基底具有第一導電型，該反熔絲單元包括：

反熔絲柵極，設置于該基底上；

反熔絲層，設置于該反熔絲柵極與該基底之間；

修改的延伸摻雜區，具有第二導電型，設置于該反熔絲層下方的基底中，其中該反熔絲層、該反熔絲柵極與該修改的延伸摻雜區構成一可變電容器；以及

第一摻雜區與第二摻雜區，具有該第二導電型，并分別設置于該反熔絲柵極的相對兩側的該基底中；

選擇晶體管，設置于該基底上，包括：

選擇柵極，設置于該基底上；

柵極介電層，設置于該選擇柵極與該基底之間；

該第二摻雜區與一第三摻雜區，具有該第二導電型，并分別設置于該選擇柵極的相對兩側的該基底中；

其中該選擇晶體管包括核心金屬氧化物半導體(core MOS)晶體管，該選擇晶體管具有：

淡摻雜區，具有該第二導電型，設置于該選擇柵極與該第二摻雜區之間，其中該淡摻雜區的接面深度與該修改的延伸摻雜區的接面深度相同，該淡摻雜區的摻雜濃度與該修改的延伸摻雜區的摻雜濃度相同；以及

源極/漏極延伸區，具有該第二導電型，設置于該選擇柵極與該第三摻雜區之間，其中該源極/漏極延伸區的接面深度小于該修改的延伸摻雜區的接面深度，該源極/漏極延伸區的摻雜濃度大于該修改的延伸摻雜區的摻雜濃度。

2.如權利要求1所述的改善讀取特性的反熔絲單次可編程存儲單元，其中該反熔絲層與該柵極介電層的厚度相同。

3.一種改善讀取特性的反熔絲單次可編程存儲單元，包括：

反熔絲單元，設置于一基底上，該基底具有第一導電型，該反熔絲單元包括：

反熔絲柵極，設置于該基底上；

反熔絲層，設置于該反熔絲柵極與該基底之間；

修改的延伸摻雜區，具有第二導電型，設置于該反熔絲層下方的基底中，其中該反熔絲層、該反熔絲柵極與該修改的延伸摻雜區構成一可變電容器；以及

第一摻雜區與第二摻雜區，具有該第二導電型，并分別設置于該反熔絲柵極的相對兩側的該基底中；

選擇晶體管，設置于該基底上，包括：

選擇柵極，設置于該基底上；

柵極介電層，設置于該選擇柵極與該基底之間；

該第二摻雜區與一第三摻雜區，具有該第二導電型，并分別設置于該選擇柵極的相對兩側的該基底中；

其中該選擇晶體管包括雙柵極介電層金屬氧化物半導體晶體管，靠近該第二摻雜區的該柵極介電層的厚度大于靠近該第三摻雜區的該柵極介電層的厚度，該選擇晶體管具有：

淡摻雜區，具有該第二導電型，設置于該選擇柵極與該第二摻雜區之間，其中該淡摻雜區的接面深度與該修改的延伸摻雜區的接面深度相同，該淡摻雜區的摻雜濃度與該修改的延伸摻雜區的摻雜濃度相同；以及

源極/漏極延伸區，具有該第二導電型，設置于該選擇柵極與該第三摻雜區之間，其中該源極/漏極延伸區的接面深度小于該修改的延伸摻雜區的接面深度，該源極/漏極延伸區的摻雜濃度大于該修改的延伸摻雜區的摻雜濃度。

4.如權利要求1至3中任一項所述的改善讀取特性的反熔絲單次可編程存儲單元，其中該第一導電型為P型及N型的其中的一個，該第二導電型為P型及N型的其中的另一個。

5.如權利要求1至3中任一項所述的改善讀取特性的反熔絲單次可編程存儲單元，其中該修改的延伸摻雜區為一阱區。

6.如權利要求5所述的改善讀取特性的反熔絲單次可編程存儲單元，其中該阱區的一部分延伸至位于該選擇柵極下方。

7.如權利要求5所述的改善讀取特性的反熔絲單次可編程存儲單元，其中該阱區的一部分延伸至位于該第二摻雜區下方。