[發(fā)明專(zhuān)利]用于具有共源極線的存儲(chǔ)單元的系統(tǒng)、方法和裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201480051457.3 | 申請(qǐng)日: | 2014-11-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105556609B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 禹小軍;范卡特拉曼·普拉哈卡;伊葛·G·葛茲尼索夫;龍·T·辛赫;波·金 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 經(jīng)度快閃存儲(chǔ)解決方案有限責(zé)任公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G11C16/10 | 分類(lèi)號(hào): | G11C16/10;G11C16/04 |
| 代理公司: | 北京泛華偉業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
| 地址: | 愛(ài)爾蘭*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 具有 共源極線 存儲(chǔ) 單元 系統(tǒng) 方法 裝置 | ||
用于實(shí)現(xiàn)具有共源極線的存儲(chǔ)單元的系統(tǒng)、方法和裝置被公開(kāi)。方法包括在第一晶體管接收第一電壓。第一晶體管可以被耦合到第二晶體管和被包括在第一存儲(chǔ)單元中。方法包括在第三晶體管接收第二電壓。第三晶體管可以被耦合到第四晶體管和被包括在第二存儲(chǔ)單元中。第一和第二存儲(chǔ)單元可以被耦合到共源極線。方法包括在第二晶體管的柵極和第四晶體管的柵極接收可以使它們操作于截止模式的第三電壓。方法可以包括在第一晶體管的柵極接收第四電壓。第四電壓通過(guò)Fowler?Nordheim隧穿可以引起在包括在第一晶體管中的電荷存儲(chǔ)層中的變化。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求遞交于2014年6月26日、申請(qǐng)?zhí)枮?4/316,615的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的權(quán)益,并且還根據(jù)35 U.S.C.§ 119(e)要求遞交于2013年12月2日、申請(qǐng)?zhí)枮?1/910,764的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)的權(quán)益,兩個(gè)申請(qǐng)均通過(guò)引用以其整體被并入本文用于所有目的。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)大體涉及存儲(chǔ)單元,并且更具體地,涉及具有共源極線的存儲(chǔ)單元。
背景
非易失性存儲(chǔ)設(shè)備當(dāng)前廣泛應(yīng)用在當(dāng)電力不可用或被終止時(shí)要求信息保存的電子組件中。非易失性存儲(chǔ)設(shè)備可以包括只讀存儲(chǔ)器(ROM)、可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)、可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)和電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)(EEPROM)設(shè)備。如今一些存儲(chǔ)器陣列利用可以包括存儲(chǔ)元件或電荷存儲(chǔ)層的晶體管和柵極結(jié)構(gòu)。電荷存儲(chǔ)層可以被編程為基于施加于存儲(chǔ)器陣列或被存儲(chǔ)器陣列接收的電壓來(lái)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。
附圖簡(jiǎn)述
圖1圖示了根據(jù)一些實(shí)施例實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備的例子的示意圖。
圖2圖示了根據(jù)一些實(shí)施例實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備的另一個(gè)例子的示意圖。
圖3圖示了根據(jù)一些實(shí)施例實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)單元的布局的例子。
圖4圖示了根據(jù)一些實(shí)施例實(shí)現(xiàn)的若干存儲(chǔ)單元的布局的例子。
圖5圖示了根據(jù)一些實(shí)施例實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)單元的布局的截面的例子。
圖6圖示了根據(jù)一些實(shí)施例實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)單元的布局的另一個(gè)例子。
圖7圖示了根據(jù)一些實(shí)施例實(shí)現(xiàn)的編程方法的例子的流程圖。
圖8圖示了根據(jù)一些實(shí)施例實(shí)現(xiàn)的擦除方法的例子的流程圖。
圖9圖示了根據(jù)一些實(shí)施例實(shí)現(xiàn)的讀取方法的例子的流程圖。
圖10圖示了根據(jù)一些實(shí)施例實(shí)現(xiàn)的包括存儲(chǔ)設(shè)備的處理系統(tǒng)的框圖。
詳細(xì)描述
在之后的描述中,為了提供對(duì)所呈現(xiàn)的概念的透徹理解而闡述了許多具體細(xì)節(jié)。所呈現(xiàn)的概念可以被實(shí)踐,而無(wú)需一些或全部這些具體細(xì)節(jié)。在其他情況中,眾所周知的過(guò)程操作沒(méi)有被詳細(xì)描述以免不必要地模糊描述的概念。雖然一些概念將結(jié)合具體例子進(jìn)行描述,但要理解這些例子不是認(rèn)定為限制性的。
存儲(chǔ)器陣列可以利用可包括存儲(chǔ)元件或電荷存儲(chǔ)層的晶體管和柵極結(jié)構(gòu)被實(shí)現(xiàn)。電荷存儲(chǔ)層可以被編程為基于施加于存儲(chǔ)器陣列或被存儲(chǔ)器陣列接收的電壓來(lái)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。以此方式,存儲(chǔ)器陣列可以包括按行和列布置的各種不同的存儲(chǔ)單元,并且每一個(gè)可以能夠儲(chǔ)存至少一個(gè)數(shù)據(jù)值。電壓可以被施加于每一個(gè)存儲(chǔ)單元以對(duì)它們進(jìn)行編程、擦除它們或讀取它們儲(chǔ)存的一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)值。
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