[發明專利]用于具有共源極線的存儲單元的系統、方法和裝置有效
| 申請號： | 201480051457.3 | 申請日： | 2014-11-06 |
| 公開（公告）號： | CN105556609B | 公開（公告）日： | 2020-11-03 |
| 發明（設計）人： | 禹小軍;范卡特拉曼·普拉哈卡;伊葛·G·葛茲尼索夫;龍·T·辛赫;波·金 | 申請（專利權）人： | 經度快閃存儲解決方案有限責任公司 |
| 主分類號： | G11C16/10 | 分類號： | G11C16/10;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 愛爾蘭*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 具有 共源極線 存儲 單元 系統 方法 裝置 | ||
1.一種用于實現存儲單元的方法，所述方法包括：
在第一晶體管接收第一電壓，所述第一晶體管被耦合到第二晶體管，所述第一晶體管和所述第二晶體管被包括在第一存儲單元中；
在第三晶體管接收第二電壓，所述第三晶體管被耦合到第四晶體管，所述第三晶體管和所述第四晶體管被包括在第二存儲單元中，所述第一存儲單元和所述第二存儲單元被耦合到共源極線；
在所述第二晶體管的柵極和所述第四晶體管的柵極接收第三電壓；以及
在所述第一晶體管的柵極接收第四電壓，所述第四電壓通過Fowler-Nordheim隧穿引起被包括在所述第一晶體管中的電荷存儲層的一個或多個電性質的變化，
其中所述第二晶體管和所述第四晶體管每一個都有在25納米和180納米之間的溝道長度。
2.根據權利要求1所述的方法，還包括：
通過所述共源極線在所述第二晶體管的源極和所述第四晶體管的源極接收第五電壓，并且
其中所述第三電壓使所述第二晶體管和所述第四晶體管在截止模式下操作。
3.根據權利要求2所述的方法，其中所述第五電壓在-0.5V和-5V之間。
4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一電壓在所述第一晶體管的漏極被接收，并且其中所述第二電壓在所述第三晶體管的漏極被接收。
5.根據權利要求4所述的方法，其中所述第一電壓在-0.5V和-5V之間，并且其中所述第二電壓在0.5V和5V之間。
6.根據權利要求4所述的方法，其中所述第一電壓和所述第四電壓之間的差值在4V和12V之間。
7.根據權利要求1所述的方法，其中所述第三電壓在-0.5V和-5V之間。
8.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一晶體管是硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)晶體管。
9.根據權利要求8所述的方法，其中所述第四電壓通過Fowler-Nordheim隧穿引起所述SONOS晶體管中的電荷存儲層的一個或多個電性質的變化。
10.根據權利要求8所述的方法，其中所述電荷存儲層包括選自以下項組成的組的至少一種材料：氮氧化硅、氧化鋁，氧化鉿、氧化鉿鋁、氧化鋯、硅酸鉿、硅酸鋯、氮氧化鉿、氧化鉿鋯和氧化鑭。
11.一種用于實現存儲單元的設備，所述設備包括：
第一晶體管，其被配置為通過第一位線接收第一電壓；
第二晶體管，其被耦合到所述第一晶體管和共源極線；
第三晶體管，其被配置為通過第二位線接收第二電壓；以及
第四晶體管，其被耦合到所述第三晶體管和所述共源極線；
其中所述第一晶體管包括電荷存儲層，所述電荷存儲層被配置為響應于接收所述第一電壓和第四電壓通過Fowler-Nordheim隧穿改變一個或多個電性質，所述第四電壓在所述第一晶體管的柵極被接收，
其中所述第二晶體管和所述第四晶體管每一個都有在25納米和180納米之間的溝道長度。
12.根據權利要求11所述的設備，其中，所述第二晶體管和所述第四晶體管被配置為在所述第一晶體管的編程期間響應于接收第三電壓而在截止模式下操作，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管被包括在第一存儲單元中，其中所述第三晶體管和所述第四晶體管被包括在第二存儲單元中，其中所述第一存儲單元被包括在存儲單元陣列的第一行和第一列中，并且其中所述第二存儲單元被包括在所述存儲單元陣列的所述第一行和第二列中。
13.根據權利要求12所述的設備，其中所述共源極線被耦合到所述存儲單元陣列的所述第一行中的所有存儲單元。
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