技術領域

本實用新型涉及一種封裝存儲器，具體涉及一種多層陶瓷封裝同步動態隨機存儲器。

背景技術

?國內同步動態隨機存儲器的封裝，是將芯片粘接在金屬引腳框架上，采用注塑的方法，外包塑料材料，實現存儲器的封裝；該封裝方式的氣密性?、導熱性能以及可靠性較差，并且該方式不易對芯片進行安放以及固定，對芯片的保護性較低,尤其是在布線面積較大，對尺寸沒有嚴格要求的存儲器，采用傳統方法封裝的儲存器良品率低，穩定性差，且該種方法封裝的存儲器牢固度低，易損壞，不能滿足苛刻條件的下使用。

實用新型內容

??本實用新型的目的是針對現有技術中存在的問題提供一種多層陶瓷封裝同步動態隨機存儲器。

一種多層陶瓷封裝同步動態隨機存儲器，包括陶瓷管殼、封蓋和存儲器芯片，還包括第一層陶瓷基片和第二層陶瓷基片，所述第一層陶瓷基片上設置有與存儲器芯片適配的通槽，所述第二層陶瓷基片上設置有與存儲器芯片的壓焊點對應的通孔，第二層陶瓷基片上表面設置有金導帶，并且所述金導帶由第二層陶瓷基片的通孔延伸至第二層陶瓷基片的邊沿；所述第一層陶瓷基片設置于陶瓷管殼上，所述存儲器芯片設置于第一層陶瓷基片的通槽中，所述第二層陶瓷基片設置于第一層陶瓷基片上，所述存儲器芯片的壓焊點通過金導帶連接于陶瓷管殼；

所述第二層陶瓷基片通孔周圍設置有絕緣層；

所述金導帶厚度14um，寬度為100um～120um。

本實用新型具有以下有益效果：

??單個存儲器的封裝周期短，封裝成型的存儲器良品率高，這不但提高了生產效率還降低了產品成本,且該方式封裝的存儲器使用周期長，抗外力沖擊，穩定性能好且不易損壞;由于本實用新型采用了分層結構，可以根據生產需要將通用元件用于制造別的存儲器，相對于傳統封裝方式，本實用新型可以在備料數相同的情況下，生產更多種類的存儲器。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖2為本實用新型存儲器芯片的結構示意圖；

圖3為本實用新型第一層陶瓷基片的結構示意圖；

圖4為本實用新型第二層陶瓷基片的結構示意圖；

圖5為本實用新型陶瓷管殼的結構示意圖。

具體實施方式

如圖1至圖5所示一種多層陶瓷封裝同步動態隨機存儲器，包括陶瓷管殼1、封蓋2和存儲器芯片3，還包括第一層陶瓷基片4和第二層陶瓷基片5，所述第一層陶瓷基片4上設置有與存儲器芯片4適配的通槽6，所述第二層陶瓷基片5上設置有與存儲器芯片的壓焊點7對應的通孔?，第二層陶瓷基片5上表面設置有金導帶8，并且所述金導帶8由第二層陶瓷基片5的通孔9延伸至第二層陶瓷基片5的邊沿；所述第一層陶瓷基片4設置于陶瓷管殼1上，所述存儲器芯片3設置于第一層陶瓷基片4的通槽中，所述第二層陶瓷基片5設置于第一層陶瓷基片4上，所述存儲器芯片3的壓焊點7通過金導帶8連接于陶瓷管殼1；所述第二層陶瓷基片5通孔9周圍設置有絕緣層10，所述金導帶8厚度14um，寬度為100um～120um。

進行封裝工作時,采用厚膜工藝在第二層陶瓷基片5上制作與存儲器芯片3的壓焊點7對應的金導帶8，再在第二層陶瓷基片5通孔9周圍覆蓋玻璃釉的絕緣層10，用于金導帶8的保護和電絕緣;用耐高溫、導熱、絕緣粘接膠將第一層陶瓷基片4粘接到陶瓷管殼1上，將存儲器芯片3粘接在第一層陶瓷基片4的通槽6中;用耐高溫、導熱、絕緣粘接膠將第二層陶瓷基片5粘接到第一層陶瓷基片4上，并且使得存儲器芯片3的壓焊點7與第二層陶瓷基片5的通孔對應,?通過金絲壓焊的方法將金導帶8兩端分別與儲器芯片3的壓焊點7以及陶瓷管殼1連接，再通過氮氫混合封蓋工藝將封蓋2蓋于陶瓷管殼1上，從而完成封裝工作。