[實用新型]一種多層陶瓷封裝同步動態(tài)隨機存儲器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420773428.5 | 申請日： | 2014-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN204271074U | 公開（公告）日： | 2015-04-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 安飚;楊耀虎;杜林德;李文軍;薛建國 | 申請（專利權(quán)）人： | 天水天光半導(dǎo)體有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L23/498 | 分類號： | H01L23/498;H01L23/31 |
| 代理公司： | 甘肅省知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)中心 62100 | 代理人： | 李琪 |
| 地址： | 741000*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 多層 陶瓷封裝 同步 動態(tài) 隨機 存儲器 | ||
1.一種多層陶瓷封裝同步動態(tài)隨機存儲器，包括陶瓷管殼（1）、封蓋（2）和存儲器芯片（3），其特征在于：還包括第一層陶瓷基片（4）和第二層陶瓷基片（5），所述第一層陶瓷基片（4）上設(shè)置有與存儲器芯片（4）適配的通槽（6），所述第二層陶瓷基片（5）?上設(shè)置有與存儲器芯片的壓焊點（7）對應(yīng)的通孔?，第二層陶瓷基片（5）上表面設(shè)置有金導(dǎo)帶（8），并且所述金導(dǎo)帶（8）由第二層陶瓷基片（5）的通孔（9）延伸至第二層陶瓷基片（5）的邊沿；所述第一層陶瓷基片（4）設(shè)置于陶瓷管殼（1）上，所述存儲器芯片（3）設(shè)置于第一層陶瓷基片（4）的通槽中，所述第二層陶瓷基片（5）設(shè)置于第一層陶瓷基片（4）上，所述存儲器芯片（3）的壓焊點（7）通過金導(dǎo)帶（8）連接于陶瓷管殼（1）。
2.如權(quán)利要求1所述一種多層陶瓷封裝同步動態(tài)隨機存儲器，其特征在于：所述第二層陶瓷基片（5）通孔（9）周圍設(shè)置有絕緣層（10）。
3.如權(quán)利要求1所述一種多層陶瓷封裝同步動態(tài)隨機存儲器，其特征在于：所述金導(dǎo)帶（8）厚度14um，寬度為100um～120um。
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