技術領域

本實用新型涉及一種用于離子源的柵網裝置，尤其適用于離子束刻蝕設備大口徑平行束離子源作為柵網使用。

背景技術

離子束刻蝕是利用低能量平行Ar+離子束對基片表面進行轟擊，將基片表面未覆蓋掩膜的部分濺射出，從而達到選擇刻蝕的目的。離子束刻蝕是純物理刻蝕過程，在各種常規刻蝕方法中具有分辨率最高、陡直性最好的特點，并且可以對絕大部分材料進行刻蝕，例如：金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導體、絕緣體、超導體等材料。傳統離子源是利用一根連接桿將加速法蘭、抑制法蘭與放電室連接在一起，由于燈絲的使用壽命短，需要經常拆卸離子源進行跟換。因為抑制法蘭與加速法蘭是單獨裝配的，手工裝配容易造成抑制柵網與加速柵網孔不能完全對正，每次裝配的結構均會造成細小變動，影響離子源性能的重復性。

發明內容

?本實用新型所要解決的技術問題是，針對現有技術不足，提供一種用于離子源的柵網裝置，提高離子源性能重復性，從而提高刻蝕工藝均勻性。

為解決上述技術問題，本實用新型所采用的技術方案是：一種用于離子源的柵網裝置，包括加速法蘭和抑制法蘭；所述加速法蘭和抑制法蘭內分別安裝有加速柵網和抑制柵網；所述加速法蘭設置在所述抑制法蘭上方，且所述加速法蘭通過連接桿與所述抑制法蘭連接成一體結構；所述加速柵網的網格與所述抑制柵網的網格一一對應；所述抑制法蘭圓周部分開設有用于將所述抑制法蘭安裝于離子源放電室上的安裝孔。

所述加速法蘭圓周部分開設有與所述安裝孔位置對應的缺口，方便抑制柵網與離子源放電室連接。

所述加速法蘭和抑制法蘭圓周部分均開設有定位銷孔，裝配時利用工裝保證裝配后加速柵網和抑制柵網所有引出孔對齊，減少因手工裝配形成的偏差，提高柵網使用壽命。同時，更換柵網時同樣采用定位銷孔定位，可提高離子源性能重復性。

所述連接桿與所述加速法蘭、抑制法蘭之間設有絕緣件。

與現有技術相比，本實用新型所具有的有益效果為：本實用新型可提高離子源裝配一致性，從而提高離子源性能重復性和穩定性，最終能獲得穩定的離子束刻蝕工藝。

附圖說明

圖1為本實用新型三維剖視圖；

圖2為抑制法蘭三維效果圖。

具體實施方式

如圖1和圖2所示，本實用新型一實施例包括加速法蘭1和抑制法蘭3；所述加速法蘭1和抑制法蘭3內分別安裝有加速柵網2和抑制柵網4；所述加速法蘭1設置在所述抑制法蘭3上方，且所述加速法蘭1通過連接桿5與所述抑制法蘭3連接成一體結構；所述加速柵網2的網格與所述抑制柵網4的網格一一對應；所述抑制法蘭4圓周部分開設有用于將所述抑制法蘭4安裝于離子源放電室上的安裝孔13。

裝配時利用工裝保證裝配后加速柵網2和抑制柵網4所有網格對齊。減少因手工裝配形成的偏差，提高柵網使用壽命。同時，更換柵網時同樣采用定位銷孔11定位，可提高離子源性能重復性。

抑制法蘭3和加速法蘭1利用連接桿5通過絕緣件6組裝成一體。抑制法蘭3上設計有與放電室對應的銷孔14和安裝孔13。在加速法蘭1上與抑制法蘭3上的安裝孔13對應位置設計有缺口12。柵網裝置可整體在離子源放電室上拆裝。