技術領域

本實用新型涉及玻璃鍍膜技術領域，尤其涉及一種高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃的制備裝置。

背景技術

目前，低輻射鍍膜玻璃已經廣泛應用在建筑領域，其具有傳熱系數低和反射紅外線等特點。透過率的提高，一般采用介電層的增透作用和金屬層厚度的降低來實現，但是金屬層厚度過低會導致鋼化時功能層的氧化，影響鍍膜玻璃的光學性能，從而影響了鍍膜玻璃的深加工性能。

實用新型內容

本實用新型旨在為了解決鍍膜玻璃透過率和鍍膜玻璃深加工存在的問題。

為了達成上述目的，本實用新型提供了一種高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備裝置，包括氧化鈦介電層形成單元，其鍍制一層氧化鈦介電層；氮化硅介電層形成單元，其鍍制一層氮化硅介電層；氧化鋅介電層形成單元，其鍍制一層氧化鋅介電層；鎳鉻金屬合金層形成單元，其鍍制一層鎳鉻金屬合金層；銀功能層形成單元，其鍍制一層銀功能層；鎳鉻金屬合金層形成單元，其鍍制一層鎳鉻金屬合金層；氧化鋅錫介電層形成單元，其鍍制一層氧化鋅錫介電層；及氮化硅介電層形成單元，其鍍制一層氮化硅介電層。所述制備裝置在玻璃基板上依次鍍制一層氧化鈦介電層，一層氮化硅介電層，一層氧化鋅介電層，一層鎳鉻金屬合金層，一層銀功能層，一層鎳鉻金屬合金層，一層氧化鋅錫介電層和一層氮化硅介電層。

一些實施例中，所述氧化鈦介電層形成單元采用氧化鈦靶鍍制，沉積厚度在5～15nm之間，制備氧化鈦介電層的氧氣與氬氣量之比在1：15～20之間，濺射氣壓在2x10^-3mbar至4x10^-3mbar之間，沉積功率在30～50kw之間。

一些實施例中，所述氮化硅介電層形成單元采用硅鋁合金靶鍍制，沉積厚度在5～10nm之間，制備氮化硅介電層的氮氣與氬氣量之比在1：2.5～3之間，濺射氣壓在3x10^-3mbar至5x10^-3mbar之間，沉積功率在20～40kw之間。

一些實施例中，所述氧化鋅介電層形成單元采用鋅鋁合金靶鍍制，沉積厚度在5～10nm之間，制備氧化鋅介電層的氧氣與氬氣量之比在1～2：1之間，濺射氣壓在2x10^-3mbar至4x10^-3mbar之間，沉積功率在20～40kw之間。

一些實施例中，所述鎳鉻金屬介電層形成單元采用鎳鉻合金靶鍍制，沉積厚度在0.5～5nm之間，制備鎳鉻金屬介電層的濺射氣體為氬氣，濺射氣壓在3x10^-3mbar至5x10^-3mbar之間，沉積功率在1～10kw之間。

一些實施例中，所述銀功能層形成單元采用純銀靶鍍制，沉積厚度在5～13nm之間，制備銀功能層的濺射氣體為氬氣，濺射氣壓在1x10^-3mbar至4x10^-3mbar之間，沉積功率在5～15kw之間。

一些實施例中，所述鎳鉻金屬介電層形成單元采用鎳鉻合金靶鍍制，沉積厚度在1～5nm之間，制備鎳鉻金屬介電層的濺射氣體為氬氣，濺射氣壓在3x10^-3mbar至5x10^-3mbar之間，沉積功率在1～10kw之間。

一些實施例中，所述氧化鋅錫介電層形成單元采用鋅錫合金靶鍍制，沉積厚度在10～20nm之間，制備氧化鋅錫介電層的氧氣與氬氣量之比在1.5～2.5：1之間，濺射氣壓在3x10^-3mbar至5x10^-3mbar之間，沉積功率在30～60kw之間。

一些實施例中，所述氮化硅介電層形成單元采用硅鋁合金靶鍍制，沉積厚度在10～40nm之間，制備氮化硅介電層的氮氣與氬氣量之比在1：2～3.5之間，濺射氣壓在2.5x10^-3mbar至5x10^-3mbar之間，沉積功率在10～35kw之間。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是通過離線磁控濺射技術，在浮法玻璃基材表面制備多層膜結構，使其具有較高的透過率和選擇系數，對紅外區域有高反射的作用，同時能有效的降低玻璃的輻射率。

以下結合附圖，通過示例說明本實用新型主旨的描述，以清楚本實用新型的其他方面和優點。

附圖說明

結合附圖，通過下文的詳細說明，可更清楚地理解本實用新型的上述及其他特征和優點，其中：

圖1為本實用新型的一種高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備裝置制備的鍍膜玻璃示意圖。

具體實施方式