1.一種高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃的制備裝置，其特征在于，包括：

氧化鈦介電層形成單元，其鍍制一層氧化鈦介電層；

氮化硅介電層形成單元，其鍍制一層氮化硅介電層；

氧化鋅介電層形成單元，其鍍制一層氧化鋅介電層；

鎳鉻金屬合金層形成單元，其鍍制一層鎳鉻金屬合金層；

銀功能層形成單元，其鍍制一層銀功能層；

鎳鉻金屬合金層形成單元，其鍍制一層鎳鉻金屬合金層；

氧化鋅錫介電層形成單元，其鍍制一層氧化鋅錫介電層；及

氮化硅介電層形成單元，其鍍制一層氮化硅介電層，

其中，所述制備裝置在玻璃基板上依次鍍制一層氧化鈦介電層，一層氮化硅介電層，一層氧化鋅介電層，一層鎳鉻金屬合金層，一層銀功能層，一層鎳鉻金屬合金層，一層氧化鋅錫介電層和一層氮化硅介電層。

2.根據權利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備裝置，其特征在于，所述氧化鈦介電層形成單元采用氧化鈦靶鍍制，沉積厚度在5～15nm之間，制備氧化鈦介電層的氧氣與氬氣量之比在1：15～20之間，濺射氣壓在2x10^-3mbar至4x10^-3mbar之間，沉積功率在30～50kw之間。

3.根據權利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備裝置，其特征在于，所述氮化硅介電層形成單元采用硅鋁合金靶鍍制，沉積厚度在5～10nm之間，制備氮化硅介電層的氮氣與氬氣量之比在1：2.5～3之間，濺射氣壓在3x10^-3mbar至5x10^-3mbar之間，沉積功率在20～40kw之間。

4.根據權利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備裝置，其特征在于，所述氧化鋅介電層形成單元采用鋅鋁合金靶鍍制，沉積厚度在5～10nm之間，制備氧化鋅介電層的氧氣與氬氣量之比在1～2：1之間，濺射氣壓在2x10^-3mbar至4x10^-3mbar之間，沉積功率在20～40kw之間。

5.根據權利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備裝置，其特征在于，所述鎳鉻金屬介電層形成單元采用鎳鉻合金靶鍍制，沉積厚度在0.5～5nm之間，制備鎳鉻金屬介電層的濺射氣體為氬氣，濺射氣壓在3x10^-3mbar至5x10^-3mbar之間，沉積功率在1～10kw之間。

6.根據權利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備裝置，其特征在于，所述銀功能層形成單元采用純銀靶鍍制，沉積厚度在5～13nm之間，制備銀功能層的濺射氣體為氬氣，濺射氣壓在1x10^-3mbar至4x10^-3mbar之間，沉積功率在5～15kw之間。

7.根據權利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備裝置，其特征在于，所述鎳鉻金屬介電層形成單元采用鎳鉻合金靶鍍制，沉積厚度在1～5nm之間，制備鎳鉻金屬介電層的濺射氣體為氬氣，濺射氣壓在3x10^-3mbar至5x10^-3mbar之間，沉積功率在1～10kw之間。

8.根據權利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備裝置，其特征在于，所述氧化鋅錫介電層形成單元采用鋅錫合金靶鍍制，沉積厚度在10～20nm之間，制備氧化鋅錫介電層的氧氣與氬氣量之比在1.5～2.5：1之間，濺射氣壓在3x10^-3mbar至5x10^-3mbar之間，沉積功率在30～60kw之間。

9.根據權利要求1所述的高透過率可鋼化低輻射鍍膜玻璃制備裝置，其特征在于，所述氮化硅介電層形成單元采用硅鋁合金靶鍍制，沉積厚度在10～40nm之間，制備氮化硅介電層的氮氣與氬氣量之比在1：2～3.5之間，濺射氣壓在2.5x10^-3mbar至5x10^-3mbar之間，沉積功率在10～35kw之間。