[發(fā)明專利]封裝基板的阻焊制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410606048.7 | 申請(qǐng)日: | 2014-10-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104392934A | 公開(公告)日: | 2015-03-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋陽 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48 |
| 代理公司: | 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
| 地址: | 214135 江蘇省無錫市新區(qū)*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 制作方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及基板封裝領(lǐng)域,尤其是一種封裝基板的阻焊制作方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的基板阻焊技術(shù)大部分都是用液態(tài)油墨材料來制作阻焊,由于液態(tài)油墨在加工過程中受基板線路圖形、油墨特性等影響,會(huì)產(chǎn)生漏印、油墨厚度不均勻等問題。對(duì)于阻焊開窗尺寸小、開窗對(duì)位精度要求高的基板,液態(tài)油墨在進(jìn)行曝光、顯影等工藝都難以控制加工精度,對(duì)于阻焊開窗尺寸小于80um的基板,若用液態(tài)油墨加工,會(huì)產(chǎn)生曝光不良,顯影不凈等影響。從而影響后續(xù)的制作。
由于現(xiàn)在基板的封裝密度、封裝精度越來越高,致使基板的焊盤尺寸、線條寬度變的越來越小;當(dāng)封裝基板的焊盤、線條寬度越來越小時(shí),對(duì)于阻焊開窗的對(duì)位精度、阻焊開窗尺寸的要求越來越高,這對(duì)傳統(tǒng)用液態(tài)油墨制作阻焊工藝帶來了極大地限制。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,提供一種封裝基板的阻焊制作方法,通過運(yùn)用干膜型阻焊劑以及UV激光加工方法,能夠高質(zhì)量的完成基板的阻焊制作,特別是開窗尺寸小、開窗對(duì)位精度要求高的板件;在加工過程中,本發(fā)明方法能夠完全與現(xiàn)有的基板工藝技術(shù)相兼容,不需要對(duì)常規(guī)的基板工藝做過多的改進(jìn),且工藝相容性好,非常適合阻焊開窗尺寸小、開窗對(duì)位精度要求高的的基板的加工,而且省去了阻焊顯影工序的工作,提高了加工的效率。本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種封裝基板的阻焊制作方法,包括下述步驟:
步驟一,對(duì)基板的表面和基板表面的線路圖形進(jìn)行粗化處理;
步驟二,在基板表面壓合阻焊干膜;
步驟三,對(duì)壓合阻焊干膜后的基板進(jìn)行固化處理;
步驟四,制作阻焊開窗的圖形資料;
步驟五,根據(jù)阻焊開窗圖形資料的阻焊開窗尺寸、干膜厚度、阻焊干膜固化后的硬度進(jìn)行調(diào)整激光器的加工參數(shù),用激光器對(duì)阻焊開窗區(qū)域進(jìn)行開窗處理;
步驟六,對(duì)激光加工阻焊開窗區(qū)域的殘留物、開窗后線路圖形的露出部位進(jìn)行清潔處理。
進(jìn)一步地,步驟一中采用前處理藥液進(jìn)行粗化處理。
進(jìn)一步地,步驟二中,阻焊干膜的材料采用日本TAIYO公司的AUS410;用真空壓膜機(jī)進(jìn)行壓合阻焊干膜。
進(jìn)一步地,步驟五中,采用的激光器是UV激光器。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
1)本發(fā)明的實(shí)施工藝基于有機(jī)基板的工藝方法和材料開展的,縮減了阻焊顯影工序的工作,提高了加工效率,能夠滿足基板的阻焊工藝可靠性等要求。
2)該技術(shù)方案對(duì)于封裝基板的小尺寸阻焊開窗、對(duì)位精度帶來了很大的技術(shù)提升。
3)此方案的阻焊加工工藝和PCB工藝相兼容,不需要新的設(shè)備和工藝就可以實(shí)現(xiàn),更適應(yīng)于該技術(shù)在基板量產(chǎn)廠商的推廣和大規(guī)模量產(chǎn)。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的基板及外層線路圖形示意圖。
圖2為本發(fā)明的真空壓合阻焊干膜示意圖。
圖3為本發(fā)明的激光掃阻焊開窗示意圖。
圖4為本發(fā)明的阻焊開窗區(qū)域示意圖。
圖5為本發(fā)明的流程圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
圖1中,待處理的基板1正面和背面都加工好了線路圖形2。封裝基板的阻焊制作方法包括下述步驟:
步驟一,對(duì)基板1的表面和基板1表面的線路圖形2進(jìn)行粗化處理;
此步驟中,具體可采用前處理藥液對(duì)基板1表面線路圖形進(jìn)行粗化處理,目的是提高基板與阻焊干膜的結(jié)合力。前處理藥液可采用日本EBARA公司的“Ebachem?Neo?Brown”NBD?II型藥液。
步驟二,在基板1表面壓合阻焊干膜3;
因?yàn)楸纠校?的正面和背面都有線路圖形,因此,如圖2所示,在基板1的正面和背面都?jí)汉献韬父赡?;阻焊干膜3的材料采用日本TAIYO公司的AUS410。為保證阻焊干膜3的平整度,此步驟需要用真空壓膜機(jī)進(jìn)行壓合,根據(jù)基板厚度、阻焊干膜的厚度進(jìn)行調(diào)整真空壓膜的參數(shù)。
步驟三,對(duì)壓合阻焊干膜3后的基板1進(jìn)行固化處理;
此步驟的固化可在烤箱中加溫固化,或者采用UV固化(UV:紫外線的簡稱,UV固化即利用紫外線照射固化)。
步驟四,制作阻焊開窗4的圖形資料;
阻焊開窗4的圖形資料表明了基板1上哪些區(qū)域需要進(jìn)行開窗,比如焊盤所在位置;
步驟五,根據(jù)阻焊開窗4圖形資料的阻焊開窗尺寸、干膜厚度、阻焊干膜固化后的硬度進(jìn)行調(diào)整激光器的加工參數(shù),用激光器對(duì)阻焊開窗4區(qū)域進(jìn)行開窗處理;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





