[發(fā)明專利]封裝基板的阻焊制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410606048.7 | 申請日： | 2014-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN104392934A | 公開（公告）日： | 2015-03-04 |
| 發(fā)明（設計）人： | 宋陽 | 申請（專利權）人： | 華進半導體封裝先導技術研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江蘇省無錫市新區(qū)*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 封裝 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種封裝基板的阻焊制作方法，其特征在于，包括下述步驟：
步驟一，對基板(1)的表面和基板(1)表面的線路圖形(2)進行粗化處理；
步驟二，在基板(1)表面壓合阻焊干膜(3)；
步驟三，對壓合阻焊干膜(3)后的基板(1)進行固化處理；
步驟四，制作阻焊開窗(4)的圖形資料；
步驟五，根據(jù)阻焊開窗(4)圖形資料的阻焊開窗尺寸、干膜厚度、阻焊干膜固化后的硬度進行調整激光器的加工參數(shù)，用激光器對阻焊開窗(4)區(qū)域進行開窗處理；
步驟六，對激光加工阻焊開窗區(qū)域的殘留物、開窗后線路圖形(2)的露出部位進行清潔處理。
2.如權利要求1所述的封裝基板的阻焊制作方法，其特征在于：
步驟一中采用前處理藥液進行粗化處理。
3.如權利要求2所述的封裝基板的阻焊制作方法，其特征在于：
前處理藥液采用日本EBARA公司的Ebachem?Neo?Brown??NBD?II型藥液。
4.如權利要求1所述的封裝基板的阻焊制作方法，其特征在于：
步驟二中，阻焊干膜（3）的材料采用日本TAIYO公司的AUS410；用真空壓膜機進行壓合阻焊干膜（3）。
5.如權利要求1所述的封裝基板的阻焊制作方法，其特征在于：
步驟五中，采用的激光器是UV激光器。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
