[發明專利]體偏置控制電路有效
| 申請號： | 201410529205.9 | 申請日： | 2014-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN104601163B | 公開（公告）日： | 2019-05-28 |
| 發明（設計）人： | A·M·雅拉爾;S·皮爾特里;S·K·沃特金斯 | 申請（專利權）人： | 恩智浦美國有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/08 | 分類號： | H03K19/08 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 羅銀燕 |
| 地址： | 美國得*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 偏置 控制電路 | ||
1.一種電路，包括：
晶體管，所述晶體管包括被耦接以接收偏置電壓的體端子和被耦接以接收源電壓的源極端子；以及
體偏置控制電路，所述體偏置控制電路包括被耦接以給體端子提供偏置電壓的輸出端，其中，體偏置控制電路被配置為在第一時間段上將偏置電壓從第一偏置電壓改變為第二偏置電壓，其中偏置電壓的有效變化率的幅值在所述第一時間段上發生變動，其中，對于較靠近源電壓的第一偏置電壓和第二偏置電壓之間的電壓，與離源電壓較遠的第一偏置電壓和第二偏置電壓之間的偏置電壓相比，有效變化率的幅值小。
2.根據權利要求1所述的電路，其中，偏置電壓的有效變化率的幅值在所述第一時間段上增大。
3.根據權利要求1所述的電路，其中，偏置電壓的移動平均值在所述第一時間段上以二次的方式變化。
4.據權利要求1所述的電路，其中，晶體管是形成于P阱中的n型晶體管，并且第二偏置電壓小于第一偏置電壓。
5.根據權利要求1所述的電路，其中，晶體管是形成于N阱中的p型晶體管，并且第二偏置電壓大于第一偏置電壓。
6.根據權利要求1所述的電路，其中，體偏置控制電路被配置為通過在輸出端處施加第一偏置電壓和第二偏置電壓之間的一系列偏置目標電平電壓并且每個偏置目標電平電壓達相應的持續時間，來將偏置電壓從第一偏置電壓改變為第二偏置電壓。
7.根據權利要求6所述的電路，其中，每個相應的持續時間是相同的持續時間。
8.根據權利要求6所述的電路，其中，體偏置控制電路包括用于將輸出端拉向第二偏置電壓以及所述一系列偏置目標電平電壓中的每一個的電荷泵。
9.根據權利要求6所述的電路，其中，體偏置控制電路包括：
多個抽頭，所述多個抽頭中的每個抽頭對應于所述一系列偏置目標電平電壓中的偏置目標電平電壓；以及
抽頭控制器，被配置為選擇所述多個抽頭中的抽頭，用于將偏置電壓從第一偏置電壓改變為第二偏置電壓。
10.根據權利要求1所述的電路，其中，體偏置控制電路被配置為在第二時間段上將偏置電壓從第二偏置電壓改變為第一偏置電壓，其中偏置電壓的有效變化率的幅值在所述第二時間段上發生變動，其中，對于較靠近源電壓的第二偏置電壓和第一偏置電壓之間的電壓，與離源電壓較遠的第二偏置電壓和第一偏置電壓之間的偏置電壓相比，有效變化率的幅值小。
11.一種控制體偏置電壓的方法，包括：
給晶體管的體端子提供偏置電壓以及給晶體管的源極端子提供源電壓；
在第一時間段上將偏置電壓從第一偏置電壓改變為第二偏置電壓，其中偏置電壓的有效變化率的幅值在所述第一時間段上發生變動，其中，對于較靠近源電壓的第一偏置電壓和第二偏置電壓之間的電壓，與離源電壓較遠的第一偏置電壓和第二偏置電壓之間的偏置電壓相比，有效變化率的幅值小。
12.根據權利要求11所述的方法，其中，將偏置電壓從第一偏置電壓改變為第二偏置電壓被執行，使得偏置電壓的有效變化率的幅值在所述第一時間段上增大。
13.根據權利要求11所述的方法，其中，將偏置電壓從第一偏置電壓改變為第二偏置電壓被執行，使得偏置電壓的移動平均值在所述第一時間段上以二次的方式變化。
14.根據權利要求11所述的方法，其中，晶體管是形成于P阱中的n型晶體管，并且第二偏置電壓小于第一偏置電壓。
15.根據權利要求11所述的方法，其中，晶體管是形成于N阱中的p型晶體管，并且第二偏置電壓大于第一偏置電壓。
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