技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于升華提純爐技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及升華提純裝置。

背景技術(shù)

有機(jī)電子器件因其具有主動(dòng)發(fā)光、響應(yīng)時(shí)間短、廣視角、全彩化、低耗電等優(yōu)勢，在國內(nèi)外備受關(guān)注。而有機(jī)半導(dǎo)體材料的純度直接影響著有機(jī)電子器件的工作特性和穩(wěn)定性。處于有機(jī)發(fā)光層的雜質(zhì)會(huì)形成陷阱，阻擋激子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，捕獲部分激子，引起了激子的淬滅，因而會(huì)降低有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率；處于載流子傳輸層的雜質(zhì)能夠俘獲載流子，降低載流子的傳輸效率；雜質(zhì)捕獲載流子后形成內(nèi)部電場阻擋后續(xù)電荷的注入，增加了器件的開路電壓,降低了電流密度；另外，雜質(zhì)的不穩(wěn)定性容易發(fā)生分解，影響器件的壽命。因此提高有機(jī)半導(dǎo)體材料的純度至關(guān)重要。

目前國內(nèi)外常用的純化方法為梯度升華提純，通過設(shè)置不同溫區(qū)的溫度，使玻璃管上形成一定的溫度梯度，將需要進(jìn)行提純的材料放置在高溫加熱區(qū)，使材料升華。升華后的材料擴(kuò)散到低溫區(qū)內(nèi)沉積，一般情況下，高純度的材料沉積在靠近升華區(qū)域很短的距離內(nèi)，雜質(zhì)的沉積區(qū)遠(yuǎn)離升華區(qū)域，從而到達(dá)了分離雜質(zhì)的目的。然而，由于梯度升華提純方法中，所形成的溫度梯度是唯一是使材料分離的動(dòng)力，因此在升華過程中需要小心的控制溫度。而且一次加熱升華通常無法滿足純度的要求，需要將材料進(jìn)行二次甚至多次的升華來達(dá)到足夠的純度。

在廣東阿格蕾雅光電材料有限公司戴雷等人公開的專利CN102924207A中所公開有機(jī)小分子升華純化方法中在升華加熱管內(nèi)設(shè)置障礙物，改變升華提純路徑，但是障礙物的存在使氣流從開孔處穿出，增加了氣流速度，使材料在后續(xù)障礙物的沉積減少，大多數(shù)的材料在第一檔板區(qū)域沉積，而后續(xù)障礙物處沉積材料很少，因此，障礙物的存在有效回收質(zhì)量沒有提高，甚至減少了回收質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，克服現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，提供一種有機(jī)半導(dǎo)體材料升華提純的方法，采用內(nèi)部設(shè)置濾膜來吸附雜質(zhì)，從而達(dá)到主物質(zhì)與雜質(zhì)在升華過程中分離，產(chǎn)品純度更高,?且氣流速度均勻。

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的，升華提純裝置，包括內(nèi)管，內(nèi)管為多個(gè)，且依次連接，相鄰兩個(gè)內(nèi)管之間設(shè)置濾膜，濾膜具有吸附物質(zhì)和通氣的作用。

進(jìn)一步地，所述吸附物質(zhì)為活性炭或碳納米管或石墨烯，主要吸附雜質(zhì)和部分主要物質(zhì)。

進(jìn)一步地，所述的濾膜具有導(dǎo)熱性，使到收集區(qū)采集，提高產(chǎn)量。

進(jìn)一步地，所述的濾膜濾膜為一個(gè)或多個(gè)。

進(jìn)一步地，所述的濾膜為吸附物質(zhì)與支撐物的結(jié)合，為吸附物質(zhì)提供支撐載體。

進(jìn)一步地，所述的支撐物為空狀或/和網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，其特征在于每個(gè)格柵所含的吸附材料可以為多種。

進(jìn)一步地，其特征在于格柵的孔徑為1微米到1厘米之間。

進(jìn)一步地，其特征在于吸附材料可以有取向。

有機(jī)半導(dǎo)體材料升華提純方法，將有機(jī)半導(dǎo)體材料經(jīng)過加熱，升華后通過內(nèi)管之間的濾膜，部分物質(zhì)被吸附，雜質(zhì)部分被大量吸附，主物質(zhì)富集在材料收集區(qū)。

本發(fā)明的有益效果是：

1.?由于在內(nèi)管之間設(shè)置濾膜，濾膜可以吸附雜質(zhì)物質(zhì)，有利于提高主物質(zhì)的純度。

2.由于格柵由具有吸附功能的材料制成，可以根據(jù)提純材料的性能選擇合適的吸附材料。

3.?由于格柵為熱的良導(dǎo)體，可以避免材料在格柵上凝結(jié)。

附圖說明：

圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明濾膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中：1、內(nèi)管，2、濾膜，3、格柵，4、碳納米管。

實(shí)施例：

如圖1所示，升華提純裝置包括6個(gè)內(nèi)管，從加熱區(qū)開始相鄰內(nèi)管之間設(shè)置濾膜，設(shè)置三個(gè)濾膜，如圖2所示，該濾膜是將碳納米管織成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)緊貼于鋼柵；將有機(jī)半導(dǎo)體材料置于加熱區(qū)加熱，升華后通過內(nèi)管之間的濾膜，其中雜質(zhì)和主物質(zhì)被吸附，且雜質(zhì)被吸附比例較大，含有少量雜質(zhì)的主物質(zhì)通過進(jìn)一步的濾膜，進(jìn)一步的純化，直至在材料收集區(qū)獲得高純度的主物質(zhì)。

本發(fā)明不限于所述的實(shí)施例，在產(chǎn)生效果相同的任何等效替代和改變都包括在本發(fā)明的公開范圍之內(nèi)。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能從本發(fā)明公開的內(nèi)容直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的所有變形，均應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。