[發(fā)明專利]有機(jī)半導(dǎo)體材料的升華提純方法及其升華提純裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410423404.1 | 申請日: | 2014-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN104218189A | 公開(公告)日: | 2014-12-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孟鴻;閆麗佳;黃維 | 申請(專利權(quán))人: | 孟鴻 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;H01L51/54;B01D7/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 510000 廣東省廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 半導(dǎo)體材料 升華 提純 方法 及其 裝置 | ||
1.升華提純裝置,包括內(nèi)管,內(nèi)管為多個,且依次連接,其特征在于,相鄰兩個內(nèi)管之間設(shè)置濾膜,濾膜具有吸附物質(zhì)和通氣的作用。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的升華提純裝置,其特征在于吸附物質(zhì)為活性炭或碳納米管或石墨烯或碳纖維或硅膠或硅藻土或多孔陶瓷。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的升華提純裝置,其特征在于濾膜具有導(dǎo)熱性。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的升華提純裝置,其特征在于濾膜為一個或多個。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的升華提純裝置,其特征在于濾膜為吸附物質(zhì)與支撐物的結(jié)合。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的升華提純裝置,其特征在支撐物為空狀或/和網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的升華提純裝置,其特征在于每個格柵所含的吸附材料可以為多種。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的升華提純裝置,其特征在于格柵的孔徑為1微米到1厘米之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的升華提純裝置,其特征在于吸附材料可以有取向。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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