[發明專利]層間介質層、層間介質層的制作方法和半導體器件有效
| 申請號： | 201410415587.2 | 申請日： | 2014-08-21 |
| 公開（公告）號： | CN105448888B | 公開（公告）日： | 2019-02-26 |
| 發明（設計）人： | 王昆 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 吳貴明;張永明 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 介質 制作方法 半導體器件 | ||
1.一種層間介質層，其特征在于，所述層間介質層包括：
介質基體層，所述介質基體層為含硅氧化物；
離子注入層，設置于所述介質基體層中，所述離子注入層中注入離子的離子極化率小于硅離子的離子極化率；
其中，所述離子注入層中注入離子選自P型離子、氟離子和碳離子中的任一種或多種；所述離子注入層中注入離子的濃度為1×1016~1×1019atoms/cm3，所述離子注入層的高度為所述介質基體層的高度的1/6~2/3。
2.根據權利要求1所述的層間介質層，其特征在于，所述P型離子為硼離子。
3.根據權利要求1所述的層間介質層，其特征在于，所述介質基體層設置于半導體基體上，所述離子注入層設置于所述介質基體層中遠離所述半導體基體的一側。
4.根據權利要求1所述的層間介質層，其特征在于，所述介質基體層由高縱深比沉積工藝形成。
5.根據權利要求4所述的層間介質層，其特征在于，所述介質基體層為SiO2層。
6.一種層間介質層的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步驟：
形成介質基體層，所述介質基體層為含硅氧化物；
對所述介質基體層進行離子注入以形成離子注入層，所述離子注入層中注入離子的離子極化率小于硅離子的離子極化率；
其中，所述離子注入層中注入離子選自P型離子、氟離子和碳離子中的任一種或多種。
7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述離子注入中注入離子的能量為1~20KeV，注入離子的劑量為1×1013~1×1016atoms/cm2。
8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，在形成所述離子注入層的步驟中形成高度為所述介質基體層的高度的1/6~2/3的所述離子注入層。
9.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，形成所述介質基體層的步驟包括：
在半導體基體上沉積介質基體預備層；
平坦化所述介質基體預備層以形成所述介質基體層。
10.根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成所述介質基體預備層的工藝為高縱深比沉積工藝。
11.一種半導體器件，包括半導體基體，以及沿遠離所述半導體基體的方向依次設置于所述半導體基體上的層間介質層和金屬層，其特征在于，所述層間介質層為權利要求1至5中任一項所述的層間介質層。
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