技術領域

本發明涉及電子元器件的厚度測定方法、使用該厚度測定方法的電子元器件卷盤的制造方法、由此制造的電子元器件卷盤以及電子元器件的檢查裝置，尤其涉及放置在透明板上的電子元器件的厚度測定方法、使用該厚度測定方法的電子元器件卷盤的制造方法、由此制造的電子元器件卷盤、以及放置在透明板上的電子元器件的檢查裝置。?

背景技術

作為公開了電子元器件的外觀分類裝置的結構的現有文獻，有日本專利特開平4-107000號公報。在日本專利特開平4-107000號公報中所記載的電子元器件的外觀分類裝置中，在連續旋轉的透明圓板上隔開間隔地放置來自元器件進料器的元器件，將相機配置在可自由拍攝透明圓板上的元器件的位置，利用該相機拍攝元器件的瞬時圖像，并根據由此得到的圖像信號來檢查元器件的外觀。另外，在電子元器件的外觀分類裝置中，根據外觀檢查結果，利用設置于透明圓板上的元器件軌道的中途的分類機構來對電子元器件進行分類。?

有時必須利用外觀和厚度來對電子元器件進行分類。在日本專利特開平4-107000號公報中所記載的電子元器件的外觀分類裝置中，在利用相機來測定電子元器件的厚度時，由于相機的景深的界限導致難以正確地測定電子元器件的厚度。?

作為精密地測定電子元器件的形狀的方法具有光切法。在光切法中，從正上方對電子元器件照射光，根據接收到其反射光后得到的圖像來測定電子元器件的形狀。?

考慮了如下方法：在利用光切法對放置于透明板上的電子元器件的厚度進行測定的情況下，對電子元器件和透明板照射光，根據接收到被電子元器件的上表面反射的反射光的位置和接收到被透明板的上表面反射的反射光的位置之間的間隔，來測定電子元器件的厚度。?

然而，在該方法中，由于被照射的光在透明板上的反射率較低，且被照射的光的一部分在透明板上引起多次反射，導致作為用于測定電子元器件的厚度的標準的、被透明板的上表面反射的反射光的受光位置變得不清楚。因此，很難利用光切法來測定放置于透明板上的電子元器件的厚度。?

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種能夠利用光切法來測定放置于透明板上的電子元器件的厚度的電子元器件的厚度測定方法、利用該厚度測定方法的電子元器件卷盤的制造方法、由此制造的電子元器件卷盤以及電子元器件的檢查裝置。?

基于本發明的第一方式的電子元器件的厚度測定方法具有：?

對電子元器件及放置有該電子元器件的透明板，從斜上方照射第1電磁波的工序；?

接收第1電磁波的反射波，形成包括表示在電子元器件的上表面反射的反射波的強度峰值的第1基準線和表示在透明板反射的多個反射波的強度峰值的多個第2基準線的第1圖像數據的工序；?

對電子元器件和透明板的與照射第1電磁波的位置大致相同的位置，以與第1電磁波相同的角度從斜上方照射與第1電磁波的偏振方向不同的第2?電磁波的工序；以及?

接收第2電磁波的反射波，形成包括表示在電子元器件的上表面反射的反射波的強度峰值的第1基準線和表示在透明板反射的多個反射波的強度峰值的多個第2基準線的第2圖像數據的工序。?

另外，電子元器件的厚度測定方法具有：在第1圖像數據的多個第2基準線和第2圖像數據的多個第2基準線中，僅提取出位于相互相同的位置且第2基準線彼此的強度峰值之差最小的第2基準線，并形成包括第1基準線和所提取出的第2基準線的第3圖像數據的工序；以及根據第3圖像數據的第1基準線和第2基準線之間的間隔來計算出電子元器件的厚度的工序。?

在本發明的一個方式中，第1電磁波和第2電磁波各自的波長在400nm以上且在500nm以下。?

在本發明的一個方式中，電子元器件在表面具有多個外部電極。在照射第1電磁波的工序中，至少對多個外部電極中的任一個照射第1電磁波。?

在本發明的一個方式中，在照射第1電磁波的工序中，以跨過多個外部電極中的各個的方式照射第1電磁波。?

在本發明的一個方式中，對于照射第1電磁波的工序、形成第1圖像數據的工序、照射第2電磁波的工序、形成第2圖像數據的工序、形成第3圖像數據的工序、以及計算電子元器件的厚度的工序的各個工序，對1個電子元器件的互不相同的位置進行該各個工序。?

在本發明的一個方式中，透明板的厚度在1.2mm以上且在5.0mm以下。?

在本發明的一個方式中，透明板由玻璃構成。第1電磁波和第2電磁波的偏振方向相差90°，第1電磁波入射到電子元器件的上表面的入射角在10°以上且在43.5°以下。?