1.一種電子元器件的厚度測定方法，其特征在于，具有：

對電子元器件及放置有該電子元器件的透明板，從斜上方照射第1電磁波的工序；

接收所述第1電磁波的反射波，形成包括表示在所述電子元器件的上表面反射的反射波的強度峰值的第1基準線和表示在所述透明板反射的多個反射波的強度峰值的多個第2基準線的第1圖像數據的工序；

對所述電子元器件和所述透明板的與照射所述第1電磁波的位置大致相同的位置，以與所述第1電磁波相同的角度從斜上方照射與所述第1電磁波的偏振方向不同的第2電磁波的工序；

接收所述第2電磁波的反射波，形成包括表示在所述電子元器件的上表面反射的反射波的強度峰值的第1基準線和表示在所述透明板反射的多個反射波的強度峰值的多個第2基準線的第2圖像數據的工序；

在所述第1圖像數據的多個所述第2基準線和所述第2圖像數據的多個所述第2基準線中，僅提取出位于相互相同的位置且所述第2基準線彼此的強度峰值之差最小的第2基準線，并形成包括所述第1基準線和所提取出的所述第2基準線的第3圖像數據的工序；以及

根據所述第3圖像數據的所述第1基準線和所述第2基準線之間的間隔，計算出所述電子元器件的厚度的工序。

2.如權利要求1所述的電子元器件的厚度測定方法，其特征在于，

所述第1電磁波和所述第2電磁波各自的波長都在400nm以上且在500nm以下。

3.如權利要求1或2所述的電子元器件的厚度測定方法，其特征在于，

所述電子元器件在表面具有多個外部電極，

在照射所述第1電磁波的工序中，至少對多個所述外部電極的任一個照射所述第1電磁波。

4.如權利要求3所述的電子元器件的厚度測定方法，其特征在于，

在照射所述第1電磁波的工序中，以跨過多個所述外部電極的各個的方式照射所述第1電磁波。

5.如權利要求1至4中任一項所述的電子元器件的厚度測定方法，其特征在于，

對于照射所述第1電磁波的工序、形成所述第1圖像數據的工序、照射所述第2電磁波的工序、形成所述第2圖像數據的工序、形成所述第3圖像數據的工序、以及計算所述電子元器件的厚度的工序的各個工序，對1個所述電子元器件的互不相同的位置進行該各個工序。

6.如權利要求1至5中任一項所述的電子元器件的厚度測定方法，其特征在于，

所述透明板的厚度在1.2mm以上且在5.0mm以下。

7.如權利要求1至6中任一項所述的電子元器件的厚度測定方法，其特征在于，

所述透明板由玻璃構成，

所述第1電磁波和所述第2電磁波的偏振方向相互相差90°，

所述第1電磁波射入所述電子元器件的所述上表面的入射角為10°以上且在43.5°以下。

8.一種電子元器件的厚度測定方法，其特征在于，具有：

對電子元器件及放置有該電子元器件的透明板照射電磁波的工序；

對在所述電子元器件及所述透明板的各個發生反射的所述電磁波的反射波進行接收的工序；以及

根據在所述電子元器件的上表面反射的所述反射波的強度峰值的接收位置和在所述透明板反射的多個反射波之中強度峰值最大的接收位置之間的位置關系，計算出所述電子元器件的厚度的工序。

9.如權利要求8所述的電子元器件的厚度測定方法，其特征在于，

所述電子元器件在表面具有多個外部電極，

在照射所述電磁波的工序中，至少對多個所述外部電極之中的任一個照射所述電磁波。

10.如權利要求9所述的電子元器件的厚度測定方法，其特征在于，

在照射所述電磁波的工序中，以跨過多個所述外部電極的各個的方式照射所述電磁波。

11.如權利要求8至10中任一項所述的電子元器件的厚度測定方法，其特征在于，

對于照射所述電磁波的工序、接收所述反射波的工序、以及計算所述電子元器件的厚度的工序的各個工序，對1個所述電子元器件的互不相同的位置進行該各個工序。